二氧化硅對EDI影響
㈠ 二氧化硅對人體的危害
雖然二氧化抄硅無毒，但襲並不是說他絕對無害
二氧化硅粉塵吸入會導致矽肺，因為他不能被肺臟吸收，只能沉積，最後會導致肺臟纖維化，無法吸收氧氣，最終導致窒息。這是一種非常嚴重的職業病，高發於缺乏必要防護的礦山、採石場、水泥行業等。此病目前沒有非常有效的治療措施，只能控制發展
二氧化硅做成細絲（即玻璃纖維、石棉之類的東西），在接觸人體時會很容易的刺破皮膚，留在人體內，導致無法緩解的刺痛、刺癢。雖然這種情況大多數會自然緩解，但如果長期接觸此類物質可能會導致血管堵塞、關節損傷等嚴重後果
㈡ 二氧化硅含量對鋁酸鹽水泥有何影響
二氧化硅含量高對鋁酸鹽水泥有降低水泥的凝結時間的作用.
㈢ edi膜塊結垢的清洗方法
EDI設備的化學清洗及再生
膜塊堵塞的原因主要有下面幾種式：
o 顆粒/膠體污堵
o 無機物污堵
o 有機物污堵
o 微生物污堵
清洗方法時間（分） 備注
酸洗30-50
鹼洗30-50
鹽水清洗35-60
消毒25-40
沖洗≥50
再生≥120 根據系統的工藝要求直至達到出水電阻率要求指標
單個膜塊清洗時葯液配用量
型號葯液配用量（升） 備注
MX-50 50 1. 酸洗溫度15-25℃
2. 鹼洗溫度25-30℃
3. 配葯液用水必須是RO產水
或高於RO產水的去離子水
MX-100 80
MX-200 110
MX-300 150
• 對於膜塊數量大於1塊時，按表中配液的數量乘以膜塊數量
EDI膜塊的再生
o 確認EDI膜塊內沒有任何的化學葯品殘留存在。
o 使系統構建成一個閉路自循環管路。
o 按照正常運行的模式調節好所有的流量和壓力。
o 給EDI送電，調節電流從2A開始分步緩慢向EDI載入電流（最大不能超
過4A）。
o 直至產水電阻率達工藝要求到或者≥12MΩ.cm
o 提示：膜塊的再生是一個比較長的時間，有時可能會長達10-24小時甚
至更長的時間。
EDI運行維護注意事項
注意:試車、操作及維護前,請詳閱EDI廠家所提供操作維護手冊. 本注意事項僅提醒使用者於試車、操作及維護時需要特別注意之事項,詳細操作維護內容請詳閱EDI廠家所提供操作維護手冊.
一、 進流水質要求與必要之附屬設備
(一)進流水質要求: 前處理系統一定要有 RO 系統,且要確保 RO 系統操作正常. 進流水質最低要求如下:
1 導電度(包括 SiO2 及CO2) μs/cm < 40
2 溫度 ℃ 5 - 45
3 壓力 Psi 20-100
4 自由余氯(Cl2) ppm < 0.02
5 鐵(Fe)、錳(Mn) ppm < 0.01
6 硫化物(S- ) ppm < 0.01
7 pH 4-11
8 總硬度(as CaCO3) ppm < 1.0
9 二氧化硅(SiO2) ppm < 1.0
10 總有機碳(TOC) ppm < 0.5
備注: 1. 導電度計算方式=導電度計測量之導電度+2.66xCO2 濃度(ppm as CO2)+1.94xSiO2(ppm as SiO2)
2. 啟動初期應特別注意進流硬度、二氧化硅濃度,應避免超過1.0ppm.
(二)附屬設備： 為了保護模塊及便利後續系統監測,強烈建議 EDI 系統應至少包括下列附屬設備:
1. 穩定的電源供應設備：為了維持系統操作穩定,電源供應系統應供給穩定的直流電源給模塊,且系統能在定電流模式下操作(V=IR, 亦即設定電流(I)後,電流並不會隨進流水質改變,進流水質改變 僅會影響電阻(R)及電壓(V)).
2. 流量開關或流量控制設備：為了保護模塊,當沒有水進入模塊時, 模塊電源必須馬上被關閉,流量開關需與電源供應連動.
3. 壓力計：應至少於進流端與產水、濃縮水出水端設置壓力計,以監 測進出水壓力.
4. 進出水流量計：方便調整產水率.可使用附控制點之流量計(可作為流量開關使用).
5. 系統控制(PLC 控制)：系統除了控制沒水進入時之斷電裝置外,亦應控制在進流水進入一段時間後,若電源仍無供應,應停止進流(例 如泵啟動30 秒後(視泵至EDI 距離調整時間),若電源仍無供應, 則應關閉泵,並發出警報),以避免EDI 膜堆內樹脂飽和,影響後續產水水質。
二、 試車注意事項：
(一)試車前檢查
1. 試車前應檢查管路、配件及控制系統是否安裝完成,各項檢查前應先關閉電源,以維護人員安全.
2. 模塊扭矩檢查：依照操作手冊 3.2 節檢查並鎖緊. 聯接螺栓 扭矩 1-8 25 ft.lbs. 11-14 12.5 ft.lbs. 9, 10 10 ft.lbs. 工具：扭矩扳手(19mm)+活動扳手
3. 管路檢查：檢查配管路線及閥門開關.
4. 電源控制檢查(以Ionpure 原廠電源控制為例)：
1.)檢查整流器及顯示板 Jumper 的選擇是否正確：
甲、 ACV：例如 LX30,需要 660V,則選擇 660V(共有 440,550, 660 三個選項).
乙、 DC ：選擇最高電流限制,例如：LX 選擇10A(共有 2.5, 4, 6.5, 10A 四個選項).選擇之電流需與顯示板上之選擇相同.
丙、 頻率：選擇 60Hz 或50Hz.
2.)檢查變壓器至控製版接線(T1, T2)及至模塊接線.
3.)檢查接地線(DC-).
4.)選擇控制模式：選擇定電流控制(A)或定電壓(V)(建議選擇定電流控制).
5.)檢查流量開關.
5. 確認進流泵容量：進流泵之汲水流量需滿足系統所需之流量,同時其揚程需能克服各項設備及管路壓損(LX 模塊壓損約 1.5-2bar(與處理量相關)).
Ionpure 原廠顯示板背面 Jumper 調整 Ionpure 原廠控制板背面 Jumper 調整及接線
(二)試車所需注意事項
1. 確認 RO 系統操作是否正常?建議 RO 系統操作穩定後,才將進流水 切換至 EDI 系統,以避免 RO 啟動初期水質較差,影響模塊性能.
2. 檢測進流水水質：檢測進流水水質,以確認進流水質符合要求,檢測項目至少包括導電度、總硬度、二氧化硅、總氯及 CO2.若水質有任一項不符前述進流水質要求,即不可將水汲入 EDI 模塊,並需檢查 前處理是否有問題. 若進流水 CO2 濃度太高(超過 5ppm),即不建議將濃縮水迴流至 RO 系統前貯槽(除非先將 CO2 去除),以避免造成 CO2 累積,影響產水水質.
3. 清洗管路：注意：為避免管路中殘留管屑等污染物進入模塊造成堵塞,建議在未試車前(包括架台配管時),先不要將原廠所附進出口之紅色套頭取出(但試車前一定要將該物取出). 在水進入模塊前,需先確定其前處理管路中已無管屑等污染物.建議 於啟動前先將模塊進水接頭拆開,並以 RO 水沖洗管路.
4. 測試各項安全保護裝置：
1.)測試進流水泵浦與EDI 連動裝置：測試進流水泵浦與 EDI 連動裝置,使得 EDI 只有在進流泵浦啟 動時才開啟電源,且當 EDI 電源沒有開啟一段時間後要關閉進流 水泵浦.
2.)流量開關測試：啟動前需先測試流量開關是否會動作,亦即沒水時電源關閉,通水啟動流量開關後(迴路連通),直流電源才供應至模塊.
5. 系統啟動注意事項
1.)當上述安全保護測試完成後,再一次檢查管路閥門開關,確定閥門開關正確後,才啟動進流泵浦.
2.)進流泵浦啟動後,檢查電源供應是否正常啟動.例如,以Ionpure 原廠顯示板為例,顯示板上燈號會由 Standby 跳至 On,若無,先關閉進流泵浦,並檢查流量開關及各接線是否正常.
3.)進流泵浦啟動後,以手動閥(最好是用膜片閥,以方便調整)調整產水及濃縮水流量,初期產水率先調整為 90%.
4.)剛啟動時,先將電流調小(例如 0.5A),確定水流及電源沒問題後, 再將電流慢慢調整到軟體計算所需之電流值(與進流水質、水量相關),觀察電壓及出水水質. 啟動初期水質可能較差,切勿因水質不佳,即貿然調高電流至遠超 過軟體所計算之值. 例如:進流水質導電度– 10μs/cm, CO2 – 8mg/l, SiO2 – 0.2mg/l 時, 以計算軟體計算所需之電流為 2.43 安培,則設定電流在約 2.5 安培 即可(以水質最差時計算),切勿一開始即將電流調整超過該值(例如4.0 安培),以避免損壞模塊.
5.)觀察進出水壓力,並以手動閥調整,使產水水壓略高於濃縮水壓約 2-5psi(若產水出口壓力低於濃縮水壓力,會影響產水水質).
6.)為避免 EDI 啟動初期產水水質不佳,建議於產水端設置二隻自動控制閥,並以 PLC 控制:當產水水質低於要求時,將EDI 產水迴流至 EDI 前貯槽,當水質高過設定水質時,才切換至下一處理設 備.
7.)當系統在穩定狀態(水質符合要求且操作穩定)時,應依據操作手冊4.0 章最後所附的資料表上記錄操作資料(檢測項目至少需包括進水溫度、導電度、總硬度、CO2,產水電阻值,進出口流量及壓力(含濃縮端),操作電壓、電流),以利後續設備檢修.
三、 操作維護注意事項
1. 應每天填寫IP-LX 系統記錄表,以便及早發現是否有可能會使保修失效或對膜堆造成破壞的問題.
2. 應至少每六個月對膜堆進行一次膜塊外觀檢測,檢查是否有漏水或鹽類沈積;並定期旋緊所有電氣連接頭及按照 3.2 章節的規定,檢查膜堆螺栓的扭矩.
3. 在下述情況下,膜堆可能需要清洗:
溫度和流量不變,產水壓降增加50%;
溫度和流量不變,濃水壓降增加50%;
溫度、流量、或進水電導率不變,產水水質下降;
溫度不變,膜堆的電阻增加25%. 清洗方法請參考操作維護手冊.
4. 若模塊發生故障可參考原廠所附操作維護手冊內之膜堆故障檢測流程或聯絡當地en-link服務商.
四、 有助於 EDI 系統穩定及水質提升的前處理設計為增加EDI系統穩定度及提升產水水質,可於前處理增加下列設備
1. 去除 CO2 設備:一般 RO 產水皆含有一定量之CO2,若能將進流水CO2 濃度降低,將有助於產水水質提升及減少結垢可能性；
2. UV:於EDI 前增設紫外線殺菌器(UV)可減少模塊長菌可能；
3. 精密過濾器:於EDI 前增設精密過濾器可避免微細顆粒物進入模塊,造成堵塞；
4. Two pass RO:當原水硬度及二氧化矽濃度相對較高或變化較大時, 為避免原水水質變化大或軟化系統出問題時,RO 產水硬度、二氧化硅濃度超過EDI 進流水標准,或減少EDI 模塊結垢可能性,建議前處理採用 Two pass RO 系統。
㈣ 二氧化碳對EDI有什麼影響
會影響溶液中的酸鹼平衡，從而使原本的H+和OH-濃度發生變化，影響H+和OH-與其他離子間的離子交換。
㈤ 二氧化硅對人有影響嗎
二氧化硅在日來常生活、生產和源科研等方面有著重要的用途，但有時也會對人體造成危害。二氧化硅的粉塵極細，比表面積達到100m2/g以上可以懸浮在空氣中，如果人長期吸入含有二氧化硅的粉塵，就會患硅肺病
硅肺是一種職業病，它的發生及嚴重程度，取決於空氣中粉塵的含量和粉塵中二氧化硅的含量，以及與人的接觸時間等。長期在二氧化硅粉塵含量較高的地方，如采礦、翻砂、噴砂、制陶瓷、制耐火材料等場所工作的人易患此病。因此，在這些粉塵較多的工作場所，應採取嚴格的勞動保護措施，採用多種技術和設備控制工作場所的粉塵含量，以保證工作人員的身體健康。㈥ 二氧化硅對環境有什麼危害
二氧化硅來在日常生活、生源產和科研等方面有著重要的用途，但有時也會對人體造成危害。
二氧化硅的粉塵極細，比表面積達到100m2/g以上（全自動F-Sorb2400氮吸附BET比表面積測試儀），可以懸浮在空氣中，如果人長期吸入含有二氧化硅的粉塵，就會患硅肺病（因硅舊稱為矽，硅肺舊稱為矽肺）。 硅肺是一種職業病，它的發生及嚴重程度，取決於空氣中粉塵的含量和粉塵中二氧化硅的含量，以及與人的接觸時間等。長期在二氧化硅粉塵含量較高的地方，如采礦、翻砂、噴砂、制陶瓷、制耐火材料等場所工作的人易患此病。 因此，在這些粉塵較多的工作場所，因採取嚴格的勞動保護措施，採用多種技術和設備控制工作場所的粉塵含量，以保證工作人員的身體健康。
㈦ 二氧化硅的危害
二氧化硅在日常生活、生產和科研等方面有著重要的用途，但有時也會對人體造成危害。二氧化硅的粉塵極細，比表面積達到100m2/g以上可以懸浮在空氣中，如果人長期吸入含有二氧化硅的粉塵，就會患硅肺病（因硅舊稱為矽，硅肺舊稱為矽肺）。
硅肺是一種職業病，它的發生及嚴重程度，取決於空氣中粉塵的含量和粉塵中二氧化硅的含量，以及與人的接觸時間等。長期在二氧化硅粉塵含量較高的地方，如采礦、翻砂、噴砂、制陶瓷、制耐火材料等場所工作的人易患此病。
因此，在這些粉塵較多的工作場所，應採取嚴格的勞動保護措施，採用多種技術和設備控制工作場所的粉塵含量，以保證工作人員的身體健康。
㈧ 二氧化硅含量對水泥性能有什麼影響
二氧化硅
性質：SiO2又稱硅石。在自然界分布很廣，如石英、石英砂等。白色或無色，含鐵量較高的是淡黃色。密度2.2 ～2.66.熔點1670℃（鱗石英）；1710℃（方石英）。沸點2230℃。不溶於水和酸（除氫氟酸），微粒時能與熔融和鹼類起作用。用於制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、硅鐵、型砂、單質硅等。
silicon dioxide
CAS號：7631-86-9分子形狀：四方晶系
摩爾質量:60.1 g mol-1
化學式SiO2，式量60.08。也叫硅石，是一種堅硬難溶的固體。它常以石英、鱗石英、方石英三種變體出現。從地面往下16千米幾乎65％為二氧化硅的礦石。天然的二氧化硅分為晶態和無定形兩大類，晶態二氧化硅主要存在於石英礦中。純石英為無色晶體，大而透明的稜柱狀石英為水晶。二氧化硅是硅原子跟四個氧原子形成的四面體結構的原子晶體，整個晶體又可以看作是一個巨大分子，SiO2是最簡式，並不表示單個分子。密度2.32g/cm3，熔點1723±5℃，沸點2230℃。無定形二氧化硅為白色固體或粉末。化學性質很穩定。不溶於水也不跟水反應。是酸性氧化物，不跟一般酸反應。氣態氟化氫或氫氟酸跟二氧化硅反應生成氣態四氟化硅。跟熱的強鹼溶液或熔化的鹼反應生成硅酸鹽和水。跟多種金屬氧化物在高溫下反應生成硅酸鹽。用於製造石英玻璃、光學儀器、化學器皿、普通玻璃、耐火材料、光導纖維，陶瓷等。二氧化硅的性質不活潑，它不與除氟、氟化氫和氫氟酸以外的鹵素、鹵化氫和氫鹵素以及硫酸、硝酸、高氯酸作用。氟化氫(氫氟酸)是唯一可使二氧化硅溶解的酸，生成易溶於水的氟硅酸：測其二氧化硅的比表面積，則使用全自動BET比表面積測試儀F-Sorb 2400 。
SiO2 ＋ 4HF = SiF4↑ ＋ 2H2O
二氧化硅能溶於濃熱的強鹼溶液：
SiO2 ＋ 2NaOH = Na2SiO3 ＋ H2O
在高溫下，二氧化硅能被碳、鎂、鋁還原：
SiO2＋2C=Si＋2CO↑
二氧化硅結構
在大多數微電子工藝感興趣的溫度范圍內，二氧化硅的結晶率低到可以被忽略。盡管熔融石英不是長范圍有序，但她卻表現出短的有序結構，它的結構可認為是4個氧原子位於三角形多面的腳上。多面體中心是一個硅原子。這樣，每4個氧原子近似共價鍵合到硅原子，滿足了硅的化合價外殼。如果每個氧原子是兩個多面體的一部分，則氧的化合價也被滿足，結果就成了稱為石英的規則的晶體結構。在熔融石英中，某些氧原子，成為氧橋位，與兩個硅原子鍵合。某些氧原子沒有氧橋，只和一個硅原子鍵合。可以認為熱生長二氧化硅主要是由人以方向的多面體網路組成的。與無氧橋位相比，有氧橋的部分越大，氧化層的粘合力就越大，而且受損傷的傾向也越小。干氧氧化層的有氧橋與無氧橋的比率遠大於濕氧氧化層。因此，可以認為，SiO2與其說是原子晶體，卻更近似於離子晶體。氧原子與硅原子之間的價鍵向離子鍵過渡。
二氧化硅是製造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導纖維和耐火材料的原料。
當二氧化硅結晶完美時就是水晶；二氧化硅膠化脫水後就是瑪瑙；二氧化硅含水的膠體凝固後就成為蛋白石；二氧化硅晶粒小於幾微米時，就組成玉髓、燧石、次生石英岩。
物理性質和化學性質均十分穩定的礦產資源，晶體屬三方晶系的氧化物礦物，即低溫石英（a-石英），是石英族礦物中分布最廣的一個礦物種。廣義的石英還包括高溫石英（b-石英）。石英塊又名硅石， 主要是生產石英砂(又稱硅砂)的原料， 也是石英耐火材料和燒制硅鐵的原料。
應用領域\用途
玻璃
平板玻璃、浮法玻璃、玻璃製品（玻璃罐、玻璃瓶、玻璃管等）、光學玻璃、玻璃纖維、玻璃儀器、導電玻璃、玻璃布及防 射線特種玻璃等的主要原料
陶瓷及耐火材料
瓷器的胚料和釉料，窯爐用高硅磚、普通硅磚以及碳化硅等的原料
冶金
硅金屬、硅鐵合金和硅鋁合金等的原料或添加劑、熔劑
建築
混凝土、膠凝材料、築路材料、人造大理石、水泥物理性能檢驗材料（即水泥標准砂）等
化工
硅化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，無定形二氧化硅微粉
機械
鑄造型砂的主要原料，研磨材料（噴砂、硬研磨紙、砂紙、砂布等）
電子
高純度金屬硅、通訊用光纖等
橡膠、塑料
填料（可提高耐磨性）
塗料
填料（可提高塗料的耐候性）
二氧化硅粉塵的危害
二氧化硅在日常生活、生產和科研等方面有著重要的用途，但有時也會對人體造成危害。
二氧化硅的粉塵極細，比表面積達到100m2/g以上（全自動F-Sorb 2400氮吸附BET比表面積測試儀 ），可以懸浮在空氣中，如果人長期吸入含有二氧化硅的粉塵，就會患硅肺病（因硅舊稱為矽，硅肺舊稱為矽肺）。
硅肺是一種職業病，它的發生及嚴重程度，取決於空氣中粉塵的含量和粉塵中二氧化硅的含量，以及與人的接觸時間等。長期在二氧化硅粉塵含量較高的地方，如采礦、翻砂、噴砂、制陶瓷、制耐火材料等場所工作的人易患此病。
因此，在這些粉塵較多的工作場所，因採取嚴格的勞動保護措施，採用多種技術和設備控制工作場所的粉塵含量，以保證工作人員的身體健康。（如果對你有幫助，請設置「好評」，謝謝！）
㈨ 二氧化硅對人體有害嗎
一般來說是無害的,但是，如果是非常細小的顆粒，比如說二氧化硅粉塵，那就有害了。如硅矽病，主要是對人肺部的損害
㈩ 二氧化硅對鍋爐有什麼危害
一、二氧化硅含量超高結垢，降低鍋爐熱效率,浪費大量燃料。鍋爐接成水垢後,受熱面的傳熱性能變差 ,燃料燃燒時所放出的熱量不能迅速的傳遞給爐水 ,因而大量熱量被煙氣帶走 ,造成排煙溫度升高 ,增加排煙熱損失,使鍋爐熱效率降低。二 、引起金屬過熱 ,強度過低 ,危及安全 。鍋爐受熱面使用的鋼材, 一 般 均 為 碳 素 鋼 , 在 使 用 過 程 中 , 允 許 金 屬 壁 溫 在450 ℃以下 。鍋爐在正常運行時 ,金屬壁溫一般為 280 ℃以下 。當鍋爐受熱面無水垢時,金屬受熱後能很快將熱量傳遞給水 ,這時兩者的溫差約為 30 ℃。但如果受熱面結生水垢,其兩者的溫差就大了 。如 :當工作壓力為 1. 25Mpa 的鍋爐受熱面結有 1 毫米厚的水垢時 (混合水垢) ,金屬壁與爐水溫差會達到 200 ℃左右. 當水垢是 3 毫米時, 金屬壁溫將上升到 580 ℃,遠遠超過了鋼材的允許溫度 。這時鋼材的抗拉強度就會降低 ,鍋爐受壓元件就會在內壓作用下發生過熱鼓皰 、變形 、泄漏 、甚至爆炸 。實測數據表明 ,金屬壁溫是隨著水垢厚度增加而增加的 ,水垢越厚 ,金屬壁溫就越高 ,因而事故發生的機率就越大 。
三 、破壞水循環 。鍋爐水循環有自然水循環和強迫水循環兩種形式 。自然水循環是靠上升管和下生管的汽水比重不同產生的壓力差而進行的水循環 。強迫水循環是依靠水泵的機械動力的作用而迫使循環的 。無論是那一種形式的水循環 ,都是經過設計計算的 ,也就是說保證有足夠的流通截面積 。當爐管內壁結生水垢後 ,使得管內流通面積減少 ,流動阻力增大 ,破壞了正常的水循環 ,使得向火面的金屬壁溫升高 。當管路被水垢堵死後 ,水循環完全停止 ,金屬壁溫則更高 ,長期下去就會發生爆管事故 。
四 、增加檢驗量 ,浪費大量資金 。鍋爐一旦結垢 ,就必須要清除 ,這樣才能保證鍋爐安全經濟運行 。水垢結生的越後 ,消耗的葯劑就越多 ,投入的資金就越多 。如 :1t/ h 型鍋爐若平均結垢3 毫米 ,除一次垢就需葯劑 0. 5 噸 。按照鍋爐噸位的不同 ,噸位增加 ,所需葯劑就增加三分之一 ,資金也相應增加 。一般鍋筒內結垢消除略方便 ,若管內結垢消除就相當困難 ,不僅如此 ,若發生爆管事故 ,換上一節新管時 ,焊接很不方便 。鍋筒鼓皰挖補時要求高 ,時間長 ,施工更為困難 。一次大的鼓皰挖補修復 ,就要耗費資金 1 至 2 萬元左右 。總之無論是化學除垢還是購買材料修理 ,都要花費大量的人力 、物理和才力 。
五 、縮短鍋爐的使用壽命。一般鍋爐的使用壽命在正常使用條件下,能夠連續運行 20 年左右。但現在大部分使用單位的鍋爐沒有達到這一壽命 ,其原因有多個方面 ,其中之一就有水垢的影響。鍋筒發生鼓皰 ,挖補修復後 ,應該對其適當降壓使用 ,以確保安全 ,這樣一來 ,對於要求蒸汽壓力高的單位來說 ,就不得不更換新的鍋爐 。