磁過濾濺射
『壹』 PVD的塗層技術
增強型磁控陰極弧：陰極弧技術是在真空條件下，通過低電壓和高電流將靶材離化成離子狀態，從而完成薄膜材料的沉積。增強型磁控陰極弧利用電磁場的共同作用，將靶材表面的電弧加以有效地控制，使材料的離化率更高，薄膜性能更加優異。
過濾陰極弧：過濾陰極電弧(FCA )配有高效的電磁過濾系統，可將離子源產生的等離子體中的宏觀粒子、離子團過濾干凈，經過磁過濾後沉積粒子的離化率為100%，並且可以過濾掉大顆粒， 因此制備的薄膜非常緻密和平整光滑，具有抗腐蝕性能好，與機體的結合力很強。
磁控濺射：在真空環境下，通過電壓和磁場的共同作用，以被離化的惰性氣體離子對靶材進行轟擊，致使靶材以離子、原子或分子的形式被彈出並沉積在基件上形成薄膜。根據使用的電離電源的不同，導體和非導體材料均可作為靶材被濺射。
離子束DLC：碳氫氣體在離子源中被離化成等離子體，在電磁場的共同作用下，離子源釋放出碳離子。離子束能量通過調整加在等離子體上的電壓來控制。碳氫離子束被引到基片上，沉積速度與離子電流密度成正比。星弧塗層的離子束源採用高電壓，因而離子能量更大，使得薄膜與基片結合力很好；離子電流更大，使得DLC膜的沉積速度更快。離子束技術的主要優點在於可沉積超薄及多層結構，工藝控制精度可達幾個埃，並可將工藝過程中的顆料污染所帶來的缺陷降至最小。
『貳』 磁控濺射鍍膜問題
原理上講，兩點：復氣場和磁場制
磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。
0.4Pa的氣場情況是濺射速率最高的情況，氣場變化，壓強變大和變小都會影響濺射速率。
磁場大，束縛的自由電子增多，濺射速率增大，磁場小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。
穩定住氣場和磁場，濺射速率也將隨之穩定。
在實際情況下，氣場穩定，
需要設計布氣系統，最好將布氣系統分級布置，保障鍍膜機腔體內不同位置的進氣量相同，同時，布氣系統、靶材、基材等要遠離鍍膜機的抽氣口。
需要穩定磁場，用高斯計測量靶材表面磁場強度，由於磁場線本身是閉合曲線，靶材磁場迴路兩端磁場強度自然比中間位置強，可以選擇用弱磁鐵，同時，基材要避開無法調整的磁場變化較大的部分。
另外，在設備結構設計方面，磁控濺射過程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉、直線運行的話，也要同軸旋轉、直線運行，保障沉積到
『叄』 磁控濺射的和市面上宣傳的陶瓷膜性能上有何優劣;磁控濺射的可不可以用在前檔上，對導航屏蔽影響多大
磁控濺射是一種生產工藝，陶瓷膜是說它裡面用到了一種材料是以陶瓷為主的。磁控濺射膜可以用到前擋的，只要它的可見光透過率達到國家標准百分之七十以上。對導航的屏蔽就要看接收器的位置了，像個別日系車接收器在死角的位置影響就會很大，但一些歐美系車就不會有影響。
『肆』 高性能磁控濺射膜的原理
電子在電場的作用來下加速飛向源基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子。電子飛向基片，氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區域內，該區域內等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面做圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷撞擊電離出大量的氬離子轟擊靶材，經過多次的碰撞後電子的能量逐漸降低，拜託磁力線的束縛，遠離靶材，最終沉積在基片上。
『伍』 磁控濺射的原理
基本原理 ：
磁控濺射技術是在普通直流(射頻)濺射技術的基礎上發展起來的。早期的直流(射頻)濺射技術是利用輝光放電產生的離子轟擊靶材來實現薄膜沉積的。但這種濺射技術的成膜速率較低，工作氣壓高(2～10Pa)。為了提高成膜速率和降低工作氣壓，在靶材的背面加上了磁場，這就是最初的磁控濺射技術。
磁控濺射法在陰極位極區加上與電場垂直的磁場後，電子在既與電場垂直又與磁場垂直的方向上做迴旋運動，其軌跡是一圓滾線，這樣增加了電子和帶電粒子以及氣體分子相撞的幾率，提高了氣體的離化率，降低了工作氣壓，同時，電子又被約束在靶表面附近，不會達到陰（陽）極，從而減小了電子對基片的轟擊，降低了由於電子轟擊而引起基片溫度的升高
電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，並以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似於
磁控濺射
一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，並且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，並在電場E的作用下最終沉積在基片上。由於該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。
磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。
『陸』 磁控濺射的原理
磁控來濺射的工作原理是指電子在源電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，並以高能量轟擊靶表面，使靶材發生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似於一條擺線。若為環形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內，並且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，並在電場E的作用下最終沉積在基片上。由於該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。
磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯過程。在這種級聯過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。
『柒』 磁控濺射鍍膜中各種動量之間的關系（做的是消影TP）
問題太大抄，足夠寫一本書的。
靶材功率越大，濺射速率越高，沉積速率越快，基本成正比，電壓越高，溫度越高，不成正比。
氬氣是濺射氣體，主要工作是形成自維持放電後，轟擊靶材，濺射出靶材原子、分子等，濺射氣體的流量與抽氣速率控制了濺射時的濺射氣壓，濺射氣壓需要維持在一個數值時，濺射速率最高。磁控濺射一般為0.2-0.5Pa。
氧氣是反應氣體，氧氣流量越大，越容易與濺射出來的金屬靶材原子反應，形成金屬氧化物，流量越大，金屬氧化物含量越高，電阻越大，透過率越高，當達到一定量時，靶材表面被氧化，形成氧化層，不容易濺射，濺射速率急降，電壓急降。
濺射速率越快，沉積速率越高，膜層厚度越大。
一時半會也說不清楚，我前幾年寫了本書，如果想要的話，聯系下我，給你看看吧。
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『捌』 磁控濺射的定義
在二極濺射中增加一個平行於靶表面的封閉磁場，藉助於靶表面上形成的正交電磁場，把二次電子束縛在靶表面特定區域來增強電離效率，增加離子密度和能量，從而實現高速率濺射的過程。