如何提升cpu處理器性能

1. 怎樣提高cpu和內存的性能

你是想超頻吧?
在BIOS看看有沒內存超頻的選項.看看這個吧:

一：關於內存超頻與設置的基礎知識

在我們進行內存的選購之前，我們要對影響內存性能的一些基本知識進行一個了解，下面這十點，使筆者通過反復論證得到的結果，請大家務必了解。

1、對內存的優化要從系統整體出發，不要局限於內存模組或內存晶元本身的參數，而忽略了內存子系統的其他要素。

2、目前的晶元組都具備多頁面管理的能力，所以如果可能，請盡量選擇雙 P-Bank 的內存模組以增加系統內存的頁面數量。但怎麼分辨是單 P-Bank 還是雙 P-Bank 呢？就目前市場上的產品而言 ，256MB 的模組基本都是單 P-Bank 的，雙面但每面只有 4 顆晶元的也基本上是單 P-Bank 的，512MB 的雙面模組則基本都是雙 P-Bank的。

3、頁面數量的計算公式為： P-Bank 數量 X4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的雙通道平台，則還要除以 2。比如兩條單面 256MB 內存，就是 2X4=8 個頁面，用在 875 上組成雙通道就成了 4 個頁面。

4、CL、tRCD、tRP 為絕對性能參數，在任何平台下任何時候，都應該是越小越好，調節的優化順序是 CL → tRCD → tRP。

5、當內存頁面數為 4 時 ，tRAS 設置短一些可能會更好，但最好不要小於 5。另外，短 tRAS 的內存性能相對於長 tRAS 可能會產生更大的波動性，對時鍾頻率的提高也相對敏感。

6、當內存頁面數大於或等於 8 時，tRAS 設置長一些會更好。

7、對於 875 和 865 平台，雙通道時頁面數達到 8 或者以上時，內存性能更好。

8、對於非雙通道 Pentium4 與 AMD 64 平台，tRAS 長短之間的性能差異要縮小。

9、Pentium4 或 AMD 64 的雙通道平台下 ，BL=4 大多數情況下是更好的選擇，其他情況下 BL=8 可能是更好的選擇，請根據自己的實際應用有針對的調整。

10、適當加大內存刷新率可以提高內存的工作效率，但也可能降低內存的穩定性。

二、BIOS中內存相關參數的設置要領

Automatic Configuration「自動設置」（可能的選項：On/ Off或Enable/Disable）

可能出現的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手動調整你的內存時序，你應該關閉它，之後會自動出現詳細的時序參數列表。

Bank Interleaving（可能的選項：Off/Auto/2/4）

這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內存晶元都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少定址沖突，提高效率，建議設為4（Auto也可以，它是根據SPD中的L-Bank信息來自動設置的）。

Burst Length「突發長度」（可能的選項：4/8）

一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平台，建議設為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平台，建議設為4。但具體的情況要視具體的應用而定。

CAS Latency 「列地址選通脈沖潛伏期」（可能的選項：1.5/2/2.5/3）

BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。

Command Rate「首命令延遲」（可能的選項：1/2）

這個選項目前已經非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR內存的定址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然後才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行激活命令，單位是時鍾周期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制晶元組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長 。目前的大部分主板都會自動設置這個參數，而從上文的ScienceMark 2.0測試中，大家也能察覺到容量與延遲之間的關系。

RAS Precharge Time 「行預充電時間」（可能的選項：2/3/4）

BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。

RAS-to-CAS Delay「行定址至列定址延遲時間」（可能的選項：2/3/4/5）

BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。

Active to Precharge Delay「行有效至行預充電時間」（可能的選項：1……5/6/7……15）

BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根據上文的分析，這個參數要根據實際情況而定，具體設置思路見上文，並不是說越大或越小就越好。

三、認清影響內存性能的關鍵

在講完 SDRAM 的基本工作原理和主要操作之後，我們現在要重要分析一下 SDRAM 的時序與性能之間的關系，它不再局限於晶元本身，而是要從整體的內存系統去分析。這也是廣大 DIYer 所關心的話題。比如 CL 值對性能的影響有多大幾乎是每個內存論壇都會有討論，今天我們就詳細探討一下。這里需要強調一點，對於內存系統整體而言，一次內存訪問就是對一個頁 （Page）的訪問。由於在 P-Bank 中，每個晶元的定址都是一樣的，所以可以將頁訪問「濃縮」等效為對每晶元中指定行的訪問，這樣可能比較好理解。但為了與官方標准統一，在下文中會經常用頁來描述相關的內容，請讀者注意理解。

可能很多人還不清楚頁的概念，在這里有必要先講一講。從狹義上講，內存晶元晶元中每個 L-Bank 中的行就是頁，即一行為一頁。但從廣義上說，頁是從整體角度講的，這個整體就是內存子系統。

對於內存模組，與之進行數據交換的單位就是 P-Bank 的位寬。由於目前還沒有一種內存晶元是 64bit 位寬的，所以就必須要用多個晶元的位寬來集成一個 P-Bank。如我們現在常見的內存晶元是 8bit 位寬的，那麼就需要 8 顆晶元組成一個 P-Bank 才能使系統正常工作。而 CPU 對內存的定址，一次就是一個 P-Bank，P-Bank 內的所有晶元同時工作，這樣對 P-Bank 內所有的晶元的定址都是相同的。比如定址指令是 B1、C2、R6，那麼該 P-Bnak 內的晶元的工作狀態都是打開 B1 的 L-Bank 的第 C2 行。好了，所謂廣義上的頁就是指 P-Bank 所包括的晶元內相同 L-Bank 內的相同工作行的總集合 。頁容量對於內存子系統而言是一個很重要的指標。這個參數取決於晶元的容量與位寬的設計。由於與本文的關系不大，就不具體舉例了。

早期 Intel 845 晶元組 MCH 的資料：它可以支持 2、4、8、16KB 的頁容量

總之，我們要知道，由於定址對同一 L-Bank 內行地址的單一性，所以一個 L-Bank 在同一時間只能打開一個頁面，一個具有 4 個 L-Bank 的內存晶元，可以打開 4 個頁面。這樣，以這種晶元組成的 P-Bank，也就最後具備了 4 個頁面，這是目前 DDR SDRAM 內存模中每個 P-Bank 的頁面最大值。

1、影響性能的主要時序參數

在講完內存的基本操作流程與相關的 tRP、tRCD、CL、BL 之後，我們就開始深入分析這些參數對內存性能的影響。所謂的影響性能是並不是指 SDRAM 的帶寬，頻率與位寬固定後，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內存的工作周期內，不可能總處於數據傳輸的狀態，因為要有命令、定址等必要的過程。但這些操作佔用的時間越短，內存工作的效率越高，性能也就越好。

非數據傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應該很明顯看出有三個參數對內存的性能影響至關重要，它們是 tRCD、CL 和 tRP。按照規定，每條正規的內存模組都應該在標識上註明這三個參數值，可見它們對性能的敏感性。

以內存最主要的操作——讀取為例。tRCD 決定了行定址（有效）至列定址（讀 / 寫命令）之間的間隔 ，CL 決定了列定址到數據進行真正被讀取所花費的時間，tRP 則決定了相同 L-Bank 中不同工作行轉換的速度。現在可以想像一下對某一頁面進行讀取時可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時不用考慮 CL 即可）：

1、要定址的行與 L-Bank 是空閑的。也就是說該 L-Bank 的所有行是關閉的，此時可直接發送行有效命令，數據讀取前的總耗時為 tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁命中 （PH，Page Hit）。

2、要定址的行正好是現有的工作行，也就是說要定址的行已經處於選通有效狀態，此時可直接發送列定址命令，數據讀取前的總耗時僅為 CL，這就是所謂的背靠背 （Back to Back）定址，我們稱之為頁快速命中（PFH，Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH，Page Direct Hit）。

3、要定址的行所在的 L-Bank 中已經有一個行處於活動狀態（未關閉），這種現象就被稱作定址沖突，此時就必須要進行預充電來關閉工作行，再對新行發送行有效命令。結果，總耗時就是 tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁錯失 （PM，Page Miss）。

顯然，PFH 是最理想的定址情況，PM 則是最糟糕的定址情況。上述三種情況發生的機率各自簡稱為 PHR —— PH Rate、PFHR —— PFH Rate、PMR —— PM Rate。因此，系統設計人員（包括內存與北橋晶元）都盡量想提高 PHR 與 PFHR，同時減少 PMR，以達到提高內存工作效率的目的。

2、增加 PHR 的方法

顯然，這與預充電管理策略有著直接的關系，目前有兩種方法來盡量提高 PHR。自動預充電技術就是其中之一，它自動的在每次行操作之後進行預充電，從而減少了日後對同一 L-Bank 不同行定址時發生沖突的可能性。但是，如果要在當前行工作完成後馬上打開同一 L-Bank 的另一行工作時，仍然存在 tRP 的延遲。怎麼辦？ 此時就需要 L-Bank 交錯預充電了。

早期非常令人關注的VIA 4路交錯式內存控制，就是在一個L-Bank工作時，對另一個L-Bank進行預充電或者定址（如果要定址的L-Bank是關閉的)。這樣，預充電與數據的傳輸交錯執行，當訪問下一個L-Bank時，tRP已過，就可以直接進入行有效狀態了，如果配合得理想,那麼就可以實現無間隔的L-Bank交錯讀/寫（一般的，交錯操作都會用到自動預充電）,這是比PFH更好的情況，但它只出現在後續的數據不在同一頁面的時時候。當時VIA聲稱可以跨P-Bank進行16路內存交錯，並以LRU（Least Recently Used，近期最少使用）演算法進行 交錯預充電/定址管理。

L-Bank 交錯自動預充電 / 讀取時序圖： L-Bank 0 與 L-Bank 3 實現了無間隔交錯讀取，避免了 tRP與tRCD對性能的影響 ，是最理想的狀態

3、增加 PFHR 的方法

無論是自動預充電還是交錯工作的方法都無法消除同行（頁面）定址時tRCD 所帶來的延遲。要解決這個問題，就要盡量讓一個工作行在進行預充電前盡可能多的接收工作命令，以達到背靠背的效果，此時就只剩下 CL 所造成的讀取延遲了（寫入時沒有延遲）。

如何做到這一點呢？這就是北橋晶元的責任了。現在我們就又接觸到 tRAS 這個參數，在 BIOS 中所設置的 tRAS 是指行有效至預充電的最短周期，在內存規范中定義為 tRAS（min），過了這個周期後就可以發出預充電指令。對於 SDRAM 和 DDR SDRAM 而言，一般是預充電命令至少要在行有效命令 5 個時鍾周期之後發出，最長間隔視晶元而異（目前的 DDR SDRAM 標准一般基本在 70000ns 左右），否則工作行的數據將有丟失的危險。那麼這也就意味著一個工作行從有效（選通）開始，可以有 70000ns 的持續工作時間而不用進行預充電。顯然，只要北橋晶元不發出預充電（包括允許自動預充電）的命令，行打開的狀態就會一直保持。在此期間的對該行的任何讀寫操作也就不會有 tRCD 的延遲。可見，如果北橋晶元在能同時打開的行（頁）越多，那麼 PFHR 也就越大。需要強調的是，這里的同時打開不是指對多行同時定址（那是不可能的），而是指多行同時處於選通狀態。我們可以看到一些 SDRAM 晶元組的資料中會指出可以同時打開多少個頁的指標，這可以說是決定其內存性能的一個重要因素。

但是，可同時打開的頁數也是有限制的。從 SDRAM 的定址原理講，同一L-Bank 中不可能有兩個打開的行（讀出放大器只能為一行服務），這就限制了可同時打開的頁面總數。以 SDRAM 有 4 個 L-Bank，北橋最多支持 8 個 P-Bank（4 條 DIMM）為例，理論上最多隻能有 32 個頁面能同時處於打開的狀態。而如果只有一個 P-Bank，那麼就只剩下 4 個頁面，因為有幾個 L-Bank 才能有同時打開幾個行而互不幹擾 。Intel 845 的 MHC 雖然可以支持 24 個打開的頁面，那也是指 6 個 P-Bank 的情況下（845MCH 只支持 6 個 P-Bank）。可見 845 已經將同時打開頁數發揮到了極致。

不過，同時打開頁數多了，也對存取策略提出了一定的要求。理論上，要盡量多地使用已打開的頁來保證最短的延遲周期，只有在數據不存在（讀取時）或頁存滿了（寫入時）再考慮打開新的指定頁，這也就是變向的連續讀 / 寫。而打開新頁時就必須要關閉一個打開的頁，如果此時打開的頁面已是北橋所支持的最大值但還不到理論極限的話 （如果已經達到極限，就關閉有沖突的L-Bank內的頁面即可），就需要一個替換策略，一般都是用 LRU 演算法來進行，這與 VIA 的交錯控制大同小異。

回到正題，雖然 tRAS 代表的是最小的行有效至預充電期限，但一般的，北橋晶元一般都會在這個期限後第一時間發出預充電指令（自動預充電時，會在tRAS之後自動執行預充電命令），只有在與其他操作相沖突時預充電操作才被延後（比如，DDR SDRAM 標准中規定，在讀取命令發出後不能立即發出預充電指令）。因此，tRAS 的長短一直是內存優化發燒友所爭論的話題，在最近一兩年，由於這個參數在 BIOS 選項中越來越普及，所以也逐漸被用戶所關注。其實，在 SDRAM 時代就沒有對這個參數有刻意的設定，在 DDR SDRAM 的官方組織 JEDEC 的相關標准中，也沒有把其列為必須標明的性能參數 （CL、tRCD、tRP 才是），tRAS 應該是某些主板廠商炒作出來的，並且在主板說明書上也註明越短越好。

其實，縮小 tRAS 的本意在於，盡量壓縮行打開狀態下的時間，以減少同 L-Bank 下對其他行進行定址時的沖突，從內存的本身來講，這是完全正確的做法，符合內存性能優化的原則，但如果放到整體的內存系統中，伴隨著主板晶元組內存頁面控制管理能力的提升，這種做法可能就不見得是完全正確的，在下文中我們會繼續分析 tRAS 的不同長短設置對內存性能所帶來的影響。

4、BL 長度對性能的影響

從讀 / 寫之間的中斷操作我們又引出了 BL（突發長度）對性能影響的話題。首先，BL 的長短與其應用的領域有著很大關系，下表就是目前三個主要的內存應用領域所使用的 BL，這是廠商們經過多年的實踐總結出來的。

BL與相應的工作領域

BL 越長，對於連續的大數據量傳輸很有好處，但是對零散的數據，BL 太長反而會造成匯流排周期的浪費，雖然能通過一些命令來進行終止，便也佔用了控制資源。以 P-Bank 位寬 64bit 為例 ，BL=4 時，一個突發操作能傳輸 32 位元組的數據，為了滿足 Cache Line 的容量需求，還得多發一次，如果是 BL=8，一次就可以滿足需要，不用再次發出讀取指令。而對於 2KB 的數據 ，BL=4 的設置意味著要每隔 4 個周期發送新的列地址，並重復 63 次。而對於 BL=256，一次突發就可完成，並且不需要中途再進行控制，但如果僅傳輸 64 位元組，就需要額外的命令來中止 BL=256 的傳輸。而額外的命令越多，越佔用內存子系統的控制資源，從而降低總體的控制效率。從這可以看出 BL 對性能的影響因素，這也是為什麼 PC 上的內存子系統的 BL 一般為 4 或 8 的原因。但是不是 8 比 4 好，或者 4 比 8 好

2. 如何提高cpu性能

龍之谷對CPU要求不會很高的，你內存等多大，可以把虛擬內存設大點，還有顯卡很重要，估計顯卡跟不上，提高CPU性能如果你會超頻把CPU超一點，不要太多，還有，超頻會損傷硬體的，沒必要時候盡量不要超頻

3. 怎樣提高cpu性能

提高cpu系統，這個要麼換好的cpu，要麼超頻；如果想提高系統性能，倒可以加大內存，換固硬試試。

4. 如何提升CPU的性能

CPU超頻提升一下性能吧不過不專業的就不要整了。很容易燒掉CPU等硬體
超頻CPU
最有效果的超頻，莫過於超頻CPU了，而且現在的CPU大多數都是可超的，我們就多說一說如何超頻電腦的CPU。
電腦的CPU工作頻率為主頻，它是由外頻和倍頻的乘積決定的，超頻CPU，超倍頻是最佳方案。但有的廠家為 防止我們超頻，將CPU的外頻鎖定了（這更證實了超頻的合理性），如Intel大部分的CPU都是鎖了外頻的。那幺對於這種CPU，我們也只能通過提升外頻來進行了。這種提升可能有局限，但可以帶來更大的好處。

目前的主流CPU有兩家：Intel的和AMD的。
1、Intel，CPU當之無愧的龍頭老大，它生產的CPU始終佔有相當大的市場。
2、AMD，CPU廠商中的後起之秀，也佔有相當的市場份額。

知道了自己的電腦是何種CPU之後，我們要查找它的最高可超頻率，以便確定超頻的目標，可超頻率可以在《各種CPU超頻編號大集合》中查到.

大家所使用的電腦中大多數都是用的這兩種CPU，當你確定了自己的CPU型號之後，還要確定CPU的核心工藝 和出廠日期。對於超頻來說，越先進的核心工藝就越好超，同一型號的CPU，出廠日期越靠後的也越好超。如.18微米的內核工藝，則理論上最多能到1.2G左右。要想上再高的頻率只有用更好的工藝生產。

教你如何超頻（下）
超頻CPU正式開始，分為以下幾步：

更換好的散熱片：
這步要看原來的CPU風扇和散熱片是否優良，優質的風扇價格一般都在50元以上，這筆投資盡量要保證。對於超頻非常有用。在換上優質風扇的同時，注意在CPU與風扇散熱片底座的接觸部分塗抹導熱硅脂，這樣可以提高散熱速度。

提升CPU倍頻：
此法目前僅適合K62和Duron以及T bird的CPU，如果是Duron和T bird還要用鉛筆來破解倍頻，很多文章有介紹，這里不再贅述。超倍頻需要主板支持修改倍頻，選購主板的時候要十分注意。

提升CPU外頻：
提升外頻可以帶來系統性能的大幅度提升，對於PIII處理器，目前的一般都是100外頻，只有超到133左右，在散熱優良而還可以加電壓的時候，甚至可到150以上。但在這時，需要您的電腦的內存、顯卡可以工作在如此之高的頻率之下。因此相對來說，100外頻的PIII處理器，是超外頻比較理想的CPU。此法跟提升CPU倍頻的方法一起用，效果最好。當然，這需要您的主板支持外頻的調節，有的主板支持逐兆調節，就是專門為了超外頻而設計的。

增加電壓：
增加電壓帶有一定的危險性，建議不採用，如確實需要增加電壓來增加超頻後的穩定性，則要一點一點的加，並監視溫度以策安全。對於Intel的CPU，稍微加一些電壓效果是明顯的；對於AMD的CPU，可以多加一些電壓。這里要提到的是主板要支持更改電壓，否則超頻餘地不會太大。如果是需要轉接卡的話，要注意選擇或更換可以調節電壓的轉接卡為上策。

軟體超頻：
軟體超頻是利用超頻軟體來進行的，例如技嘉的主板，就有可以軟體超頻的型號。這些軟體超頻的例子會在以後的文章中介紹。

一般的來說，超頻CPU只要按照以上的步驟，應該可以做到超頻成功的，至於超頻的幅度，就取決於您的機器 的各個配件的質量了，值得注意的是：超頻會縮短CPU的壽命，如果您想讓現在的機器能使用個十年八年的， 還是不要超頻為好。不過現在電腦的更新換代實是快，10年對於電腦來說，太漫長了……:-)

超頻顯卡
對於狂熱的超頻愛好者來說，任何一個超頻的機會也不容錯過，顯卡是電腦中第二個可以超頻的對象，自然也倍受青睞，超頻顯卡也要看顯卡的晶元核心工藝，越先進的越耐超。

超頻顯卡除了超頻核心頻率以外，還可以超頻顯存頻率，為什幺市面上出現了很多使用5.5ns的顯存的顯卡呢? 就是因為顯存的反應時間越小，可超的頻率就越高，6ns顯存一般也能超到200M，5.5ns自然可超到更高。超頻顯存可能會帶來很多熱量，我們可以在顯存上粘貼散熱片來緩解這個問題。

超頻滑鼠
不要奇怪，超頻滑鼠是指讓滑鼠的刷新率增加，不信你快速晃動滑鼠，你會發現其實滑鼠的游標也不是連續的，一般的PS2滑鼠刷新率是80HZ，也就是說1秒鍾畫出80個游標。當然，刷新率是越高越好的，這樣可以使得游標顯示效果細膩，改變刷新率是通過軟體更改的，目前有一款軟體叫PS2PLUS，它可將PS2滑鼠的刷新率刷到200！拿市面上隨處可見的普通的雙飛燕2D滑鼠來試驗，當運行刷新軟體將刷新率調整到200MHZ的時候，滑鼠變得非常好用，點擊准確，移動平滑，感覺跟100多元的羅技滑鼠相當啦！不花錢升級了滑鼠，何樂而不為！但要注意該軟體好象不能用在windows2000下，且不能改變USB滑鼠的刷新率，好在USB滑鼠的刷新率已經是120了，基本夠了。在前文提到的網址可以下載該軟體。

超頻內存、硬碟
千萬別有誤會，超頻內存和硬碟，其實是不太可能的，我們所說的超頻，其實是指提升了CPU的外頻之後，匯流排頻率上升了帶來的內存、硬碟的工作頻率的提高，因為這兩樣東東可改變的東西更少了，幾乎就不能做什幺手腳，所以最好也不要進行超頻工作。前一陣子有的文章介紹可以超頻硬碟轉速，這也是騙人的空談，沒有理論基礎。至於內存的CAS=2和=3之分，效果也是很小的，可忽略不計。

超頻測試
成功的超頻，應該禁得起嚴格的測試，一般是系統正常運行，軟體運行穩定，運行各種測試軟體表示性能確實穩定，無其它故障出現即可。

幾種超頻性能很好的CPU介紹
很多朋友的超頻經歷告訴我們，如下的幾款CPU超頻性能很好：
1）PIII550E、PIII650E比較好超。
2）ron，生產日期靠後的比較好超。

想來現在主要也只有這幾種東西可以超頻了，如果您已經成功的超頻了，並且很穩定，那幺恭喜您已經完成了少花錢升級的目標，但如果您達不到您的目的或者出現了超頻失敗，也不用灰心喪氣，我們來看看超頻失敗的幾種現象。

超頻失敗現象小結
現象一：系統可以啟動，但運行大的軟體的時候死機，而且時快時慢。 分析和解決：此時您的系統已經達到瓶頸，若不能略微降低CPU主頻，則應該利用提升電壓、增加散熱效果等手段來使之穩定下來。
現象二：電腦可以啟動，但進不了操作系統。分析和解決：您的電腦處在不能啟動的邊緣，您應該降低超頻幅度以求得穩定。
現象三：電腦不能啟動，完全黑屏。分析和解決：超的太高了，導致CPU運算頻繁出錯而無法正常工作，別太貪心，少超一點啦。
現象四：系統可以啟動，但屏幕時而出現斑塊花點。分析和解決：顯卡頂不住了，可考慮降低顯卡的超頻幅度或者匯流排的超頻幅度。
現象五：系統其它板卡工作不正常。但系統穩定。分析和解決：您的主板設計不良，導致超頻之後的電磁干擾增加，影響板卡的工作穩定性，可以換到距離比較遠的 插槽重新試驗，或者更換抗干擾能力強的板卡

5. 電腦怎麼提高cpu性能

在自身的條件下，在bios系統調節頻率。

6. 如何提高CPU性能

CUP性能提高方法：

1、在任務管理器里關閉沒用的程序。

2、通過超頻來使得CPU頻率變強。

3、清理系統垃圾，提高系統速度。

4、提高CPU的時鍾頻率和增加緩存容量。

CPU:中央處理器（CPU，英語：Central Processing Unit），是電子計算機的主要設備之一，電腦中的核心配件。其功能主要是解釋計算機指令以及處理計算機軟體中的數據。電腦中所有操作都由CPU負責讀取指令，對指令解碼並執行指令的核心部件。

7. 怎樣提高cpu的利用率

一般一個cpu核心可以搭載兩個線程，你根據核心去搭載線程，不要亂放線程。
還有你有10個線程同時跑耗時操作最少也要4核的cpu，你可以減少線程或者減少線程中的耗時操作。
如果你是解碼或者壓縮程序的話那麼cpu100%也很正常，如果是socket網路連接你可以看看windows
iocp，linux
epoll的實現。

8. 怎麼把電腦CPU性能調到最大

方法一：

1、以聯來想電自腦為例，點擊任務欄中的三角形箭頭，雙擊打開聯想電源管理軟體；

9. 如何提升CPU性能

CPU生產商為了提高CPU的性能，通常做法是提高CPU的時鍾頻率和增加緩存容量。不過目前CPU的頻率越來越快，如果再通過提升CPU頻率和增加緩存的方法來提高性能，往往會受到製造工藝上的限制以及成本過高的制約。

盡管提高CPU的時鍾頻率和增加緩存容量後的確可以改善性能，但這樣的CPU性能提高在技術上存在較大的難度。實際上在應用中基於很多原因，CPU的執行單元都沒有被充分使用。如果CPU不能正常讀取數據（匯流排/內存的瓶頸），其執行單元利用率會明顯下降。另外就是目前大多數執行線程缺乏ILP（Instruction-Level Parallelism，多種指令同時執行）支持。這些都造成了目前CPU的性能沒有得到全部的發揮。因此，Intel則採用另一個思路去提高CPU的性能，讓CPU可以同時執行多重線程，就能夠讓CPU發揮更大效率，即所謂「超線程（Hyper-Threading，簡稱「HT」）」技術。超線程技術就是利用特殊的硬體指令，把兩個邏輯內核模擬成兩個物理晶元，讓單個處理器都能使用線程級並行計算，進而兼容多線程操作系統和軟體，減少了CPU的閑置時間，提高的CPU的運行效率。

採用超線程及時可在同一時間里，應用程序可以使用晶元的不同部分。雖然單線程晶元每秒鍾能夠處理成千上萬條指令，但是在任一時刻只能夠對一條指令進行操作。而超線程技術可以使晶元同時進行多線程處理，使晶元性能得到提升。

超線程技術是在一顆CPU同時執行多個程序而共同分享一顆CPU內的資源，理論上要像兩顆CPU一樣在同一時間執行兩個線程，P4處理器需要多加入一個Logical CPU Pointer（邏輯處理單元）。因此新一代的P4 HT的die的面積比以往的P4增大了5%。而其餘部分如ALU（整數運算單元）、FPU（浮點運算單元）、L2 Cache（二級緩存）則保持不變，這些部分是被分享的。

雖然採用超線程技術能同時執行兩個線程，但它並不象兩個真正的CPU那樣，每個CPU都具有獨立的資源。當兩個線程都同時需要某一個資源時，其中一個要暫時停止，並讓出資源，直到這些資源閑置後才能繼續。因此超線程的性能並不等於兩顆CPU的性能。

英特爾P4 超線程有兩個運行模式，Single Task Mode（單任務模式）及Multi Task Mode（多任務模式），當程序不支持Multi-Processing（多處理器作業）時，系統會停止其中一個邏輯CPU的運行，把資源集中於單個邏輯CPU中，讓單線程程序不會因其中一個邏輯CPU閑置而減低性能，但由於被停止運行的邏輯CPU還是會等待工作，佔用一定的資源，因此Hyper-Threading CPU運行Single Task Mode程序模式時，有可能達不到不帶超線程功能的CPU性能，但性能差距不會太大。也就是說，當運行單線程運用軟體時，超線程技術甚至會降低系統性能，尤其在多線程操作系統運行單線程軟體時容易出現此問題。

需要注意的是，含有超線程技術的CPU需要晶元組、軟體支持，才能比較理想的發揮該項技術的優勢。操作系統如：Microsoft Windows XP、Microsoft Windows 2003，Linux kernel 2.4.x以後的版本也支持超線程技術。目前支持超線程技術的晶元組包括如：

Intel晶元組：
845、845D和845GL是不支持支持超線程技術的；845E晶元組自身是支持超線程技術的，但許多主板都需要升級BIOS才能支持；在845E之後推出的所有晶元組都支持支持超線程技術，例如845PE/GE/GV以及所有的865/875系列以及915/925系列晶元組都支持超線程技術。

VIA晶元組：
P4X266、P4X266A、P4M266、P4X266E和P4X333是不支持支持超線程技術的，在P4X400之後推出的所有晶元組都支持支持超線程技術，例如P4X400、P4X533、PT800、PT880、PM800和PM880都支持超線程技術。

SIS晶元組：
SIS645、SIS645DX、SIS650、SIS651和SIS648是不支持支持超線程技術的；SIS655、SIS648FX、SIS661FX、SIS655FX、SIS655TX、SIS649和SIS656則都支持超線程技術。

ULI晶元組：
M1683和M1685都支持超線程技術。

ATI晶元組：
ATI在Intel平台所推出的所有晶元組都支持超線程技術，包括Radeon 9100 IGP、Radeon 9100 Pro IGP和RX330。

nVidia晶元組：
即將推出的nForce5系列晶元組都支持超線程技術。
參考資料：http://publish.it168.com/cword/962.shtml

10. 請問如何提高CPU性能

CUP性能提高方法：

1、在任務管理器里關閉沒用的程序。

2、通過超頻來使得CPU頻率內變強。

3、清理系統垃圾容，提高系統速度。

4、提高CPU的時鍾頻率和增加緩存容量。

CPU:中央處理器（CPU，英語：Central Processing Unit），是電子計算機的主要設備之一，電腦中的核心配件。其功能主要是解釋計算機指令以及處理計算機軟體中的數據。電腦中所有操作都由CPU負責讀取指令，對指令解碼並執行指令的核心部件。