反滲透膜硅垢清洗

A. 反滲透膜清洗酸鹼用量

你說的應該是反滲透膜的化學清洗吧。

1、檸檬酸溶液，在高壓或低壓下，用1%-2%的檸檬酸水溶液對陶氏膜進行連續或循環沖洗，這種方法對Fe(OH)3污染有很好的清洗效果。本文介紹了陶氏反滲透膜化學清洗方法。

2、檸檬酸銨溶液，檸檬酸的溶液中加入氨水或配成不同PH值的溶液，也可在檸檬酸銨的溶液中加HCL，調節PH值至2-2.5，例如在190L去離子水中，溶解277g檸檬酸胺，用HCL調節溶液PH值為2.5，用這種溶液在膜系統內循環清洗6小時，效果很好，若將該溶液加溫到35-40℃，清洗效果更好，該溶液對無機物的污染清洗效果均很好，但清洗時間較長。

3、加酶洗滌劑，用加酶洗滌劑處理膜，對有機物污染，特別是對蛋白質，油類等有機物污染特別有效，若在50℃-60℃下清洗效果更好，一般的在運行10天或半個月後用1%的加酶洗滌劑在低壓下對膜進行一次清洗，由於所用加酶洗滌劑濃度較低，所以要求浸漬時間長一些。

4、濃鹽水，對肢體污染嚴懲的膜採用濃鹽水清洗是有效的，這是由於高濃度鹽水能減弱膠體間的相互作用，促進膠體凝聚形成膠團。

5、水溶性乳化液，用於清洗被油和氧化鐵污染的膜十分有效，一般清洗30-60分鍾。

6、雙氧水溶液，例如將0.5L，30%的H2O2用12L去離子水稀釋，然後清洗膜表面，這種方法對有機物污染特別有效。

7、次氯酸鈉和甲醛溶液，對於細菌的污染，要視不同的陶氏膜採取不同的處理措施，對芳香聚醯胺膜可用1%(重量)的甲醛溶液清洗，同時要經常分析反滲透濃水中保持0.2-0.5mg/l的余氯，以防止細菌繁殖。

8、草酸和EDTA溶液， 對於膜上的金屬氧化物沉澱，用草酸和EDTA溶液清洗為好。

B. 反滲透膜清洗的清洗步驟

清洗反滲透來膜元件的源一般步驟： 用泵將干凈、無游離氯的反滲透產品水從清洗箱(或相應水源)打入壓力容器中並排放幾分鍾。 用干凈的產品水在清洗箱中配製清洗液。 將清洗液在壓力容器中循環1小時或預先設定的時間。 清洗完成以後，排凈清洗箱並進行沖洗，然後向清洗箱中充滿干凈的產品水以備下一步沖洗。 用泵將干凈、無游離氯的產品水從清洗箱(或相應水源)打入壓力容器中並排放幾分鍾。 在沖洗反滲透系統後，在產品水排放閥打開狀態下運行反滲透系統，直到產品水清潔、無泡沫或無清洗劑(通常15~30分鍾)。 普通污垢的特徵 污染物 鹽透過率 壓差 透水量 鈣和無機鹽 上升10~25% 上升10~40% 下降10% 以下 金屬氧化物，氫氧化物 迅速上升2 倍以上 迅速上升2 倍以上 下降20~40% 膠態物質 緩慢上升2 倍以上 緩慢上升2 倍以上 緩慢下降50% 以上 有機物質 上升或下降 輕微上升 下降50% 以上 微生物 迅速下降2 倍以上 迅速上升2 倍以上 下降50% 以上

C. 反滲透膜如何進行化學清洗

這個還是請專業人士來答吧

D. 在反滲透系統中，如何預防硅垢

過飽和二氧化硅（SiO2)能夠自動聚合形成不溶性的膠體硅或膠狀硅，引起膜污染，影響反滲透系統的正常運行。而大多數水源溶解性二氧化硅（SiO2)的含量在1~100mg/L。濃水中的最大允許SiO2濃度取決於SiO2的溶解度。
濃水中硅的結垢傾向與進水中的情形不同，這是因為SiO2濃度增加的同時，濃水的pH值也在變化，這樣SiO2的結垢計算要根據原水水質分析和反滲透的操作參數（回收率）而定。

如果出現一定量的金屬，如Al3+的話，可能會通過形成金屬硅酸鹽改變SiO2的溶解度。硅結垢的發生大多數為水中存在 鋁或鐵。因此，如果存在硅的話，應保證水中沒有鋁或鐵，並且推薦使用1^m的保安濾器濾芯，同時採取預防性的酸性清洗措施。

❖為了提高回收率，進行石灰一純鹼軟化預處理時，應添加氧化鎂或鋁酸鈉以減少進水中的SiO2濃度，同時確保軟化過程有效運轉十分重要，以防止反滲透系統會出現難溶金屬硅酸鹽；

❖由於pH值低於7或pH值高於7.8,可以增加硅的溶解度，就防止硅的結垢而言，加酸或加鹼可以提高水的回收率，但在高pH條件下，要防止CaCO3的沉澱；

❖當採用熱交換器增加進水溫度時，就二氧化硅的結垢而言，可以顯著地提高水的回收率，但膜系統的最高允許溫度為45oC;

❖高分子量的聚丙烯酸脂阻垢劑可以用於增加二氧化硅的溶解度。

E. RO反滲透系統常見污染除垢方法有哪些

需要的，反滲透膜的清洗是很重要的，對反滲透膜的使用壽命有很大的影響。對內於設備中反滲透膜主要容是用來將原水中的污染物質盡最大可能的去除掉，但是原水中的雜質會積留在反滲透膜的表面，導致反滲透膜的堵塞，一直污染。對於反滲透膜的清洗主要是通過化學方法進行處理，它的清洗劑一般採用的是酸鹼劑，PH一般在2-12之間，對於清洗劑的最佳使用溫度應該是45攝氏度，而且污染物有的甚至是粘泥類的，隨著時間的積累還會被壓縮增厚，清洗起來難度很大。對於反滲透膜的清洗過程主要是循環清洗，把濃水的出水管道直接放在清洗葯箱中。

F. 鐵錳氧化之後進入反滲透膜怎麼清洗

反滲透膜正常運行一段時間後，反滲透膜元件會受到給水中可能存在懸浮物或難溶鹽的污染，這些污染中最常見的碳酸鈣沉澱、硫酸鈣沉澱、金屬(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)氧化物沉澱、硅沉積物、無機或有機沉積混合物、NOM天然有機物質、合成有機物(如：阻垢劑/分散劑，陽離子聚合電解質)微生物藻類、黴菌、真菌)等污染。污染性質和污染速度取決於各種因素，如給水水質和系統回收率。通常污染是漸進發展的,如不盡早控制，污染將會在相對較短的時間內損壞膜元件。當膜元件確證已被污染，或是臨時停機之前，或是作為定期日常維護，建議對膜元件進行清洗。當反滲透系統（或裝置）出現以下症狀時，需要進行化學清洗或物理沖洗：正常給水壓力下，產水量較正常值下降10-15%,為維持正常的產水量，經溫度校正後的給水壓力增加10-15%,產水水質降低10-15%,透鹽率增加10-15%,給水壓力增加1015%,系統各段之間壓差明顯增加。
已受污染的反滲透膜的清洗周期根據現場實際情況而定。正常的清洗周期是每3-12個月一次。當膜元件僅僅是發生了輕度污染時，重要的清洗膜元件。重度污染會因阻礙化學葯劑深入滲透至污染層，影響清洗效果。
清洗何種污染物以及如何清洗要根據現場污染情況而進行。對於幾種污染同時存在復雜情況，清洗方法是採用低PH和高PH清洗液交替清洗（應先低PH後高PH值清洗）
污染物情況分析:1碳酸鈣垢：碳酸鈣垢是一種礦物結垢。當阻垢劑/分散劑添加系統出現故障時，或是加酸pH調節系統出故障而引起給水pH增高時，碳酸鈣垢有可能沉積出來。盡早地檢測碳酸鈣垢，對於防止膜層表面沉積的晶體損傷膜元件是極為必要的早期檢測出的碳酸鈣垢可由降低給水的pH值至3-5運行1-2小時的方法去除。對於堆積時間長的碳酸鈣垢，可用低pH值的檸檬酸溶液清洗去除。2硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢：硫酸鹽垢是比碳酸鈣垢硬很多的礦物質垢，且不易去除。硫酸鹽垢可在阻垢劑/分散劑添加系統出現故障或加硫酸調節pH時沉積出來。盡早地檢測硫酸鹽垢對於防止膜層表面沉積的晶體損傷膜元件是極為必要的硫酸鋇和硫酸鍶垢較難去除，因為它幾乎在所有的清洗溶液中難以溶解，所以，應加以特別的注意以防止此類結垢的生成。3金屬氧化物/氫氧化物污染：典型的金屬氧化物和金屬氫氧化物污染為鐵、鋅、錳、銅、鋁等。這種垢的形成導因可能是裝置管路、容器(罐/槽)腐蝕產物，或是空氣中氧化的金屬離子、氯、臭氧、鉀、高錳酸鹽，或是由在預處置過濾系統中使用鐵或鋁助凝劑所致。4聚合硅垢：硅凝膠層垢由溶解性硅的過飽和態及聚合物所致，且非常難以去除。需要注意的這種硅的污染不同於硅膠體物的污染。硅膠體物污染可能是由與金屬氫氧化物締合或是與有機物締合而造成的硅垢的去除很艱難，可採用傳統的化學清洗方法。現有的化學清洗葯劑，如氟化氫銨，已在一些項目上得到勝利的使用，但使用時須考慮此方法的操作危害和對設備的損壞，加以防護措施。5膠體污染：膠體是懸浮在水中的無機物或是有機與無機混合物的顆粒，不會由於自身重力而沉澱。膠體物通常含有以下一個或多個主要組份，如：鐵、鋁、硅、硫或有機物。6非溶性的天然有機物污染(NOM),非溶性天然有機物污染(NOMNaturOrganicMatter)通常是由地表水或深井水中的營養物的分解而導致的有機污染的化學機理很復雜，主要的有機組份或是腐植酸，或是灰黃霉酸。非溶性NOM被吸附到膜表面可造成RO膜元件的快速污染，一旦吸收作用發生，漸漸地結成凝膠或塊狀的污染過程就會開始。7微生物堆積：有機堆積物是由細菌粘泥、真菌、黴菌等生成的這種污染物較難去除，尤其是給水通路被完全堵塞的情況下。給水通路堵塞會使清潔的進水難以充分均勻的進入膜元件內。為抑制這種沉積物的進一步生長，重要的不只要清潔和維護RO系統，同時還要清潔預處理、管道及端頭等。對膜元件採用氧化性殺菌時，使用認可的殺菌劑。
清楚污染物慣例清洗液介紹1.[溶液1]2.0%W檸檬酸(C6H8O7低pH)pH值為3-4清洗液。以於去除無機鹽垢(如碳酸鈣垢、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢等)金屬氧化物/氫氧化物(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)及無機膠體十分有效。
2.[溶液2]0.5%W鹽酸低pH清洗液(pH為2.5)主要用於去除無機物垢(如碳酸鈣垢、硫酸鈣、硫酸鋇、硫酸鍶垢等)金屬氧化物/氫氧化物(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)及無機膠體。這種清洗液比溶液1要強烈些，因為鹽酸(HCl)為強酸。3[溶液3]0.1%W氫氧化鈉高pH清洗液(pH為11.5）用於去除聚合硅垢。這一洗液是一種較為強烈的鹼性清洗液。4.[溶液4]氫氧化鈉-EDTA四鈉-六偏磷酸鈉清洗液。
清洗步驟：先用殺菌劑如1227清洗，再用溶液1清洗，再用溶液4清洗，最後用水沖洗至中性，所用水應為反滲透產水。

G. 反滲透膜清洗有液配製有幾種方法

反滲透膜化學清洗技術
摘要：本文介紹了反滲透膜污堵的原因，反滲透裝置清洗的方法以及清洗時應該注意的問題。
關鍵詞：反滲透膜 CIP 化學清洗 污染
1、概要
在反滲透系統運行過程中，反滲透膜表面會由於原水中泥澤、膠狀物、有機物、微生物等污染物質的存在及膜分離過程中對難溶物質的濃縮而產生的沉積，進而形成對反滲透膜的污染。我們都知道，反滲透系統的預處理裝置是為盡可能多地去除引起膜污染的物質而專門設計的，盡管如此，即便系統有著相當完善的預處理設備也不能完全避免膜在使用過程中的污染，所以需要在設備運行的過程中進行周期性的去除膜系統中污染物的作業，這個操作過程就叫做反滲透系統的就地清洗（CIP，Cleaning In Place）。
反滲透膜被污染後，就會出現系統產水量減少、鹽的透過率增加等膜性能方面的衰退。但由於反滲透設備在使用過程中，影響膜性能的其它主要因素（壓力、溫度等）的變化，膜污染的現象有可能被其它因素掩蓋，因此應予以注意。
目前，市面上大部分芳香聚醯胺反滲透復合膜，在較寬的pH值范圍內具有相當的穩定性和一定的耐溫性，所以用戶可以對反滲透系統進行非常有效的清洗。多年的工程實踐表明，若不及時對已產生一定程度污染的反滲透系統進行清洗處理，想較為徹底地去除已長時間附著膜表面的污染物是非常困難的。
一般在考慮膜系統清洗方案時，應注意如下幾點：
■ 應把清洗排放廢液對環境的影響（EDTA，殺菌劑等）降低到最低限度。
■ 應盡可能使本次清洗過程去除污染物最大化。
■ 應在清洗時對膜的損傷最小化（應首先考慮選擇對膜性能 影響小的葯劑）。
■ 在實際清洗操作時，在保證清洗效果的前提條件下，盡可能使清洗費用最低化
2、反滲透膜發生污染的原因
■ 不恰當的預處理
•系統配備預處理裝置相對於原水水質及流量不合適，或在系統內未配備必要的工藝裝置和工藝環節。
•預處理裝置運行不正常，即系統原有的預處理設備對原水SDI成分、濁度、膠狀物等的去除能力較低，預處理效果不理想。
■ 系統選擇了不恰當的設備或設備材質選擇不正確（泵、配管及其它）。
■ 系統化學葯品注入裝置發生故障（酸、絮凝/助凝劑、阻垢/分散劑，還原劑及其它）。
■ 設備間斷運行或系統停止使用後未採取適當的保護措施。
■ 運行管理人員不合理的設備操作與運用（回收率、產水量、濃縮水量、壓差、清洗及其它）。
■ 膜系統內長時間的難溶沉澱物堆積。
■ 原水組份變化較大或水源特性發生了根本的改變。
■ 反滲透膜系統已發生了相當程度的微生物污染。
3、膜污染物質分析
■ 首先應認真分析在此之前所記錄的、能反映設備運行狀況的近期設備運行記錄資料。
■ 分析原水水質。
■ 確認之前已做的清洗結果。
■ 分析系統運行時在測定SDI值測試時留在濾膜上的異物質。
■ 分析反滲透系統配置的保安過濾器濾芯上的堆積物。
■ 檢查原水流入系統的配管內部和反滲透膜的進水端的異物質。
※各種污染物質結垢時的表現
（1）碳酸鹽垢
結垢後表現：標准滲透水流量下降，或是脫鹽率下降。
原因：膜表面濃差極化增加
（2）鐵/錳
污染後表現：標准壓差升高（主要發生在裝置前端的膜元件），也可能引起透水量下降。通常錳和鐵會同時存在。
（3）硫酸鹽垢
若發生沉積，首先影響鹽濃度最高的系統最後面的膜元件，表現為二段壓差明顯升高。需要用專用清洗劑。
（4）硅
顆粒硅：污堵膜元件水流通道，導致系統壓差升高。採用0.4%二氯胺對於溶解嚴重污染的硅垢是有效的。
膠硅：與顆粒硅相似。
溶解硅：形成硅酸鹽析出，應採用二氯胺清洗。
（5）懸浮物/有機物
污堵表現：透水量下降，一段壓差明顯升高。若給水SDI大於4或濁度大於1，有機物污染的可能性較大。
（6）微生物
污堵表現：標准壓差升高或標准透水量下降。可採用非氧化性殺菌劑加鹼進行清洗。
（7）鐵細菌
污堵表現：標准壓差升高。可採用EDTA鈉鹽加鹼進行清洗。
4、反滲透系統清洗時機的判斷與選擇
當有下述情況發生之—時應對反滲透膜系統予以清洗
■ 標准化後的設備產水量減少了10~15%；
■ 標准化後的膜系統運行壓力增加了15% ；
■ 標准化後的膜系統鹽透過率較初始正常值增加了10~15%；
■ 運行壓差較初始作業時增加了15%
（建議以設備最初運行25~48小時所得到的運行記錄為標准化後對比依據）
反滲透設備的性能參數與壓力、溫度、pH值、系統水回收率及原水含鹽濃度等諸多因素的變化有關。因此，依據初始試機時而得到的正常技術參數（產品水流量、壓力、壓差及系統脫鹽率）作為依據及與標准化後現時系統數據比較是非常重要的。此外，清洗時間的選擇也因使用反滲透設備地區的原水水質條件及環境特性的差異而有所不同，因此，有必要根據設備現場的條件施以適當的管理措施。但是無論如何，對於任何一個設計優良和管理完善的反滲透系統來說，化學清洗的最短周期均應保證在累計連續運行3個月以上，運轉時間一般達到6-12個月左右最好，否則就必須考慮對原有系統的預處理設備或其運行管理有所改善。
5、清洗箱容積的確定及清洗液的用量計算
清洗箱的容積和清洗液的用量可以通過以下幾種方式計算而獲得：
1）運用壓力容器的空體積和管道的空體積進行估算：
壓力容器的空體積為：
V1 = NπR2L
其中： N = 每次清洗時的壓力容器數目
R = 壓力容器的半徑
L = 壓力容器的有效長度
管道空容積體積為：
V2=L1πd2/4
其中： L1 = 為清洗管道總長度
d = 為清洗管道直徑
清洗箱總容積(即清洗液配製量)：
V= 1.2(V1+ V2)
2）根據膜元件的型號規格和污染程度來計算清洗箱的容積和清洗液的配製量：
對於正常污染情況：一般按每根4英寸的膜元件配製8.5升的清洗液；每根8英寸的膜元件按34升來配製清洗液的方法來計算反滲透清洗箱的容積。
對於污染較為嚴重的情況：每根4英寸膜元件配製16升清洗液；每根8英寸膜元件按55升配製清洗液並由此而得到清洗箱的容積和清洗液的配製量。
6、膜清洗過程
1）首先用反滲透產品水(最好採用反滲透產品水，也可以用符合反滲透進水標準的軟化水或過濾水)沖洗反滲透膜組件和系統管道，
2）用反滲透產品水至少應該是合格的軟化水配製清洗液，並且保證混合均勻;在清洗前應反復確認清洗液pH值和溫度是否適宜。
3）首先用正常清洗流量的1/2及40~60PSI的運行壓力向反滲透設備打入清洗液，並去除膜容器內部存留的水。並把剛開始循環回來的部分清洗液排掉，防止清洗液被稀釋。
在正常清洗時，清洗系統壓力控制准則是採用幾乎使系統不能產出純水時的壓力為最好（即清洗系統供給壓力與原水和濃縮水間的壓差大小相等）。因為合適的清洗運行壓力可使反滲透膜面上重新堆積異物質的可能性降到最低的程度。
4）清洗時，先將以前在壓力容器內部存留的水排凈.然後再把清洗過程產生濃縮水和產出水向清洗槽循環，並注意保持清洗液溫度穩定。在開始進行循環清洗前，要首先確認清洗液溫度和pH值是否已符合標准。並對其迴流清洗液的濁度等直觀情況進行確認：如果迴流清洗液已明顯變色或變濁則應重新准備清洗液；若迴流清洗液pH變化值超過0.5時，最好重新調整PH值或更換清洗液。
5）在對系統進行化學清洗時，一般操作方法是：首先對需要清洗的壓力容器採用低流量（1/2標准清洗流量）循環清洗5~15分鍾，然後再採用中流量（2/3標准清洗流量）循環清洗10~15分鍾。
6）然後停泵並關掉閥門，使膜元件浸泡在清洗液中，浸泡時間大致為1個小時。如膜污染情況較為嚴重或是清洗較難去除的污染物，該過程的浸泡時間可適當延長。為保證長時間浸泡時的清洗液溫度，也可採用反復進行循環與浸泡相結合的方式。一般說來清洗液的溫度至少應保持在20℃以上和40℃以下，適宜的清洗液溫度可增強清洗效果；請注意:溫度過低的清洗液可能在清洗過程中發生葯品沉澱。當清洗液溫度過低時，清洗應安排在將清洗液溫度升高到較為合適的溫度後在進行。
清洗時各反滲透壓力容器的流量控制
壓力容器直徑
（英寸） 每個反滲透壓力容器通過的標准清洗流量
GPM m3/hr
2.5 ～5 ～1.1
4 ～10 ～2.3
8 ～40 ～9

7）在正常清洗時，在結束清洗液的浸泡之後，以標准清洗流量再次循環清洗20~60分鍾一般即可以結束清洗。然後再用同樣容積的反滲透產品水對反滲透膜組件進行沖洗，並將沖洗水排入下水道中。在確認沖洗干凈後，即可重新運行反滲透設備。我們建議至少應排放掉在化學清洗後重新運行系統後15分鍾內所生產出的產品水.並在對現場系統產品水水質進行認真的化學分析結果確認後，再將系統運行所得到的系統產出水打入產品水水箱。另外，在採用多種葯品進行清洗時，為防止化學葯品之間的化學反應，在每次進行清洗前產品水側排出的水最好也應排凈。
※ 若是多級設備，建議分級進行清洗，以避免流量無法控制的局面——即第一級流量太少或最末級流量過多，這樣做，也可以防止在第一級被洗掉的污染沉澱物又重新流入下一級，形成二次污染。
8）若欲防止微生物的再次污染，在對系統進行清洗之後，可用膜廠商允許使用的殺菌溶液對膜系統進行滅菌清洗，其操作方式同前。請注意：對滅菌清洗後的沖洗務必要徹底,以避免將消毒液帶入產品水中。

7、附錄 聚醯胺復合膜元件一般清洗液
清洗液
污染物 0.1%（W）NaOH或1.%（W）Na4EDTA
【pH12/30℃（最大值）】 0.1%（W）NaOH或0.025%（W）Na-SDS
【pH12/30℃（最大值）】 0.2%（W）HCl鹽酸 1.0%（W）Na2S2O4 0.5%（W）H3PO4磷酸 1.0%（W）NH2SO3H 2.0%（W）檸檬酸
無機鹽垢
(如CaCO3) 最好 可以 可以 可以
硫酸鹽垢
（CaSO4 BaSO4） 最好 可以
金屬氧化物
（如鐵） 最好 可以 可以 可以
無機膠體（淤泥） 最好
硅 可以 最好
微生物膜 可以 最好
有機物 作第一步清洗可以 作第一步清洗最好 作第二步清洗最好
1、（W）表示有效成分的重量百分含量；
2、按順序污染物化學符號為：CaCO3表示碳酸鈣；CaSO4表示硫酸鈣；BaSO4表示硫酸鋇。
3、按順序清洗化學品符號為：NaOH表示氫氧化鈉；Na4EDTA表示乙二胺四乙酸四納；Na-SDS表示十二烷基苯磺酸鈉鹽，又名月硅酸鈉；HCl表示鹽酸；Na2S2O4表示亞硫酸氫鈉；H3PO4表示磷酸；NH2SO3H表示亞硫酸氫胺。
4、為了有效清洗硫酸鹽垢，必須盡早的發現和處理，由於硫酸鹽垢的溶解度隨清洗液含鹽量增加而增加，可以在NaOH和Na4EDTA的清洗液中添加NaCl，當結垢一周以上時，硫酸鹽垢的清洗成功性值得懷疑。
5、檸檬酸是無機鹽垢的可選清洗劑。
RO膜清洗時最好是看PH值酸的PH值為2左右濃度為2%，鹼的PH值為12左右濃度為0。5%

H. 反滲透膜清洗劑配方

反滲透膜清洗幾種常用配方：

反滲透膜清洗配方劑：

1%-2%檸檬酸溶液或0.4%HCl溶液，適用於鐵污染及碳酸鹽結晶污堵。

反滲透膜清洗配方劑2

0.2%NaClO+0.1%NaOH溶液，適用於清洗由有機物及活性生物引起的膜組件的污染。

反滲透膜清洗配方劑3

0.3%H2O2+0.3%NaOH溶液，適用於清洗由glutamic acid發酵液引起的膜組件的污染。

反滲透膜清洗配方劑4

1%甲醛溶液，適用於細菌污染的超濾；

反滲透膜清洗配方劑5

HNO3的0.5%水溶液，適用於電泳漆處理過程中磷酸鉛對膜組件造成的污堵（此清洗必須在其他常規化學清洗之後進行。）；

反滲透膜清洗配方劑6

20%的Na2CO3、7%的Na3PO4、3%的NaOH、0.5%的EDTA，主要用於膠體污染物造成的膜污染；

反滲透膜清洗配方劑7

9%的十二烷基苯磺酸鈉、9%的表面活性劑、0.4%的NaOH、0.15的無水碳酸鈉、11%的磷酸鈉、10%的硅酸鈉，清洗時需注意pH的控制，有些膜不適用於高pH清洗液的清洗，要慎重選擇，主要用於清洗含油廢水所造成的膜污染。

反滲透膜清洗配方劑8

3%的H3PO4、0.5%的EDTA-2Na、0.5%的LBOW專用清洗劑，主要用於清洗蛋白質和油脂污染物造成的污染。

反滲透膜清洗配方劑9

20%的H2SO4，主要用於硅垢結晶造成的污染。

RO膜元件是反滲透設備系統中重要的部分，其日常維護的好壞直接影響到系統出水水質的好壞，這里對於反滲透膜的清洗方法加以概述，系統說明反滲透膜在運行中可能出現的污染物以及相對應的清洗方法。

I. 為什麼要進行反滲透膜清洗

水處理系統進水來中存在自各種形式可導致反滲透膜表面污染的物質，如水合金屬氧化物、硅垢、含鈣沉澱物、有機物及生物等。膜表面產生的污垢將加速系統性能下降，如減少產水流量，降低脫鹽率，進水和濃水間壓差增加。
經過一段時間的運行，膜必須清洗，就像人的衣服穿久了，一定要進行洗滌的道理一樣。