磁过滤溅射
『壹』 PVD的涂层技术
增强型磁控阴极弧：阴极弧技术是在真空条件下，通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态，从而完成薄膜材料的沉积。增强型磁控阴极弧利用电磁场的共同作用，将靶材表面的电弧加以有效地控制，使材料的离化率更高，薄膜性能更加优异。
过滤阴极弧：过滤阴极电弧(FCA )配有高效的电磁过滤系统，可将离子源产生的等离子体中的宏观粒子、离子团过滤干净，经过磁过滤后沉积粒子的离化率为100%，并且可以过滤掉大颗粒， 因此制备的薄膜非常致密和平整光滑，具有抗腐蚀性能好，与机体的结合力很强。
磁控溅射：在真空环境下，通过电压和磁场的共同作用，以被离化的惰性气体离子对靶材进行轰击，致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出并沉积在基件上形成薄膜。根据使用的电离电源的不同，导体和非导体材料均可作为靶材被溅射。
离子束DLC：碳氢气体在离子源中被离化成等离子体，在电磁场的共同作用下，离子源释放出碳离子。离子束能量通过调整加在等离子体上的电压来控制。碳氢离子束被引到基片上，沉积速度与离子电流密度成正比。星弧涂层的离子束源采用高电压，因而离子能量更大，使得薄膜与基片结合力很好；离子电流更大，使得DLC膜的沉积速度更快。离子束技术的主要优点在于可沉积超薄及多层结构，工艺控制精度可达几个埃，并可将工艺过程中的颗料污染所带来的缺陷降至最小。
『贰』 磁控溅射镀膜问题
原理上讲，两点：复气场和磁场制
磁控溅射在0.4Pa的气压情况下离子撞击靶材，溅射出粒子沉积到基材上，整体靶材的电压几乎一致，不影响溅射速率。
0.4Pa的气场情况是溅射速率最高的情况，气场变化，压强变大和变小都会影响溅射速率。
磁场大，束缚的自由电子增多，溅射速率增大，磁场小，束缚的自由电子就少，溅射速率降低。
稳定住气场和磁场，溅射速率也将随之稳定。
在实际情况下，气场稳定，
需要设计布气系统，最好将布气系统分级布置，保障镀膜机腔体内不同位置的进气量相同，同时，布气系统、靶材、基材等要远离镀膜机的抽气口。
需要稳定磁场，用高斯计测量靶材表面磁场强度，由于磁场线本身是闭合曲线，靶材磁场回路两端磁场强度自然比中间位置强，可以选择用弱磁铁，同时，基材要避开无法调整的磁场变化较大的部分。
另外，在设备结构设计方面，磁控溅射过程中，需要基材与靶材保持同轴，如果旋转、直线运行的话，也要同轴旋转、直线运行，保障沉积到
『叁』 磁控溅射的和市面上宣传的陶瓷膜性能上有何优劣;磁控溅射的可不可以用在前档上，对导航屏蔽影响多大
磁控溅射是一种生产工艺，陶瓷膜是说它里面用到了一种材料是以陶瓷为主的。磁控溅射膜可以用到前挡的，只要它的可见光透过率达到国家标准百分之七十以上。对导航的屏蔽就要看接收器的位置了，像个别日系车接收器在死角的位置影响就会很大，但一些欧美系车就不会有影响。
『肆』 高性能磁控溅射膜的原理
电子在电场的作用来下加速飞向源基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子。电子飞向基片，氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面做圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断撞击电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次的碰撞后电子的能量逐渐降低，拜托磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。
『伍』 磁控溅射的原理
基本原理 ：
磁控溅射技术是在普通直流(射频)溅射技术的基础上发展起来的。早期的直流(射频)溅射技术是利用辉光放电产生的离子轰击靶材来实现薄膜沉积的。但这种溅射技术的成膜速率较低，工作气压高(2～10Pa)。为了提高成膜速率和降低工作气压，在靶材的背面加上了磁场，这就是最初的磁控溅射技术。
磁控溅射法在阴极位极区加上与电场垂直的磁场后，电子在既与电场垂直又与磁场垂直的方向上做回旋运动，其轨迹是一圆滚线，这样增加了电子和带电粒子以及气体分子相撞的几率，提高了气体的离化率，降低了工作气压，同时，电子又被约束在靶表面附近，不会达到阴（阳）极，从而减小了电子对基片的轰击，降低了由于电子轰击而引起基片温度的升高
电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于
磁控溅射
一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
『陆』 磁控溅射的原理
磁控来溅射的工作原理是指电子在源电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
『柒』 磁控溅射镀膜中各种动量之间的关系（做的是消影TP）
问题太大抄，足够写一本书的。
靶材功率越大，溅射速率越高，沉积速率越快，基本成正比，电压越高，温度越高，不成正比。
氩气是溅射气体，主要工作是形成自维持放电后，轰击靶材，溅射出靶材原子、分子等，溅射气体的流量与抽气速率控制了溅射时的溅射气压，溅射气压需要维持在一个数值时，溅射速率最高。磁控溅射一般为0.2-0.5Pa。
氧气是反应气体，氧气流量越大，越容易与溅射出来的金属靶材原子反应，形成金属氧化物，流量越大，金属氧化物含量越高，电阻越大，透过率越高，当达到一定量时，靶材表面被氧化，形成氧化层，不容易溅射，溅射速率急降，电压急降。
溅射速率越快，沉积速率越高，膜层厚度越大。
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『捌』 磁控溅射的定义
在二极溅射中增加一个平行于靶表面的封闭磁场，借助于靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域来增强电离效率，增加离子密度和能量，从而实现高速率溅射的过程。