如何提升cpu处理器性能

1. 怎样提高cpu和内存的性能

你是想超频吧?
在BIOS看看有没内存超频的选项.看看这个吧:

一：关于内存超频与设置的基础知识

在我们进行内存的选购之前，我们要对影响内存性能的一些基本知识进行一个了解，下面这十点，使笔者通过反复论证得到的结果，请大家务必了解。

1、对内存的优化要从系统整体出发，不要局限于内存模组或内存芯片本身的参数，而忽略了内存子系统的其他要素。

2、目前的芯片组都具备多页面管理的能力，所以如果可能，请尽量选择双 P-Bank 的内存模组以增加系统内存的页面数量。但怎么分辨是单 P-Bank 还是双 P-Bank 呢？就目前市场上的产品而言 ，256MB 的模组基本都是单 P-Bank 的，双面但每面只有 4 颗芯片的也基本上是单 P-Bank 的，512MB 的双面模组则基本都是双 P-Bank的。

3、页面数量的计算公式为： P-Bank 数量 X4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台，则还要除以 2。比如两条单面 256MB 内存，就是 2X4=8 个页面，用在 875 上组成双通道就成了 4 个页面。

4、CL、tRCD、tRP 为绝对性能参数，在任何平台下任何时候，都应该是越小越好，调节的优化顺序是 CL → tRCD → tRP。

5、当内存页面数为 4 时 ，tRAS 设置短一些可能会更好，但最好不要小于 5。另外，短 tRAS 的内存性能相对于长 tRAS 可能会产生更大的波动性，对时钟频率的提高也相对敏感。

6、当内存页面数大于或等于 8 时，tRAS 设置长一些会更好。

7、对于 875 和 865 平台，双通道时页面数达到 8 或者以上时，内存性能更好。

8、对于非双通道 Pentium4 与 AMD 64 平台，tRAS 长短之间的性能差异要缩小。

9、Pentium4 或 AMD 64 的双通道平台下 ，BL=4 大多数情况下是更好的选择，其他情况下 BL=8 可能是更好的选择，请根据自己的实际应用有针对的调整。

10、适当加大内存刷新率可以提高内存的工作效率，但也可能降低内存的稳定性。

二、BIOS中内存相关参数的设置要领

Automatic Configuration“自动设置”（可能的选项：On/ Off或Enable/Disable）

可能出现的其他描述为：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手动调整你的内存时序，你应该关闭它，之后会自动出现详细的时序参数列表。

Bank Interleaving（可能的选项：Off/Auto/2/4）

这里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成，为了最大限度减少寻址冲突，提高效率，建议设为4（Auto也可以，它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的）。

Burst Length“突发长度”（可能的选项：4/8）

一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台，建议设为8，如果是Pentium4或AMD 64的双通道平台，建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。

CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期”（可能的选项：1.5/2/2.5/3）

BIOS中可能的其他描述为：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。

Command Rate“首命令延迟”（可能的选项：1/2）

这个选项目前已经非常少见，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长 。目前的大部分主板都会自动设置这个参数，而从上文的ScienceMark 2.0测试中，大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。

RAS Precharge Time “行预充电时间”（可能的选项：2/3/4）

BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。

RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”（可能的选项：2/3/4/5）

BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。

Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”（可能的选项：1……5/6/7……15）

BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根据上文的分析，这个参数要根据实际情况而定，具体设置思路见上文，并不是说越大或越小就越好。

三、认清影响内存性能的关键

在讲完 SDRAM 的基本工作原理和主要操作之后，我们现在要重要分析一下 SDRAM 的时序与性能之间的关系，它不再局限于芯片本身，而是要从整体的内存系统去分析。这也是广大 DIYer 所关心的话题。比如 CL 值对性能的影响有多大几乎是每个内存论坛都会有讨论，今天我们就详细探讨一下。这里需要强调一点，对于内存系统整体而言，一次内存访问就是对一个页 （Page）的访问。由于在 P-Bank 中，每个芯片的寻址都是一样的，所以可以将页访问“浓缩”等效为对每芯片中指定行的访问，这样可能比较好理解。但为了与官方标准统一，在下文中会经常用页来描述相关的内容，请读者注意理解。

可能很多人还不清楚页的概念，在这里有必要先讲一讲。从狭义上讲，内存芯片芯片中每个 L-Bank 中的行就是页，即一行为一页。但从广义上说，页是从整体角度讲的，这个整体就是内存子系统。

对于内存模组，与之进行数据交换的单位就是 P-Bank 的位宽。由于目前还没有一种内存芯片是 64bit 位宽的，所以就必须要用多个芯片的位宽来集成一个 P-Bank。如我们现在常见的内存芯片是 8bit 位宽的，那么就需要 8 颗芯片组成一个 P-Bank 才能使系统正常工作。而 CPU 对内存的寻址，一次就是一个 P-Bank，P-Bank 内的所有芯片同时工作，这样对 P-Bank 内所有的芯片的寻址都是相同的。比如寻址指令是 B1、C2、R6，那么该 P-Bnak 内的芯片的工作状态都是打开 B1 的 L-Bank 的第 C2 行。好了，所谓广义上的页就是指 P-Bank 所包括的芯片内相同 L-Bank 内的相同工作行的总集合 。页容量对于内存子系统而言是一个很重要的指标。这个参数取决于芯片的容量与位宽的设计。由于与本文的关系不大，就不具体举例了。

早期 Intel 845 芯片组 MCH 的资料：它可以支持 2、4、8、16KB 的页容量

总之，我们要知道，由于寻址对同一 L-Bank 内行地址的单一性，所以一个 L-Bank 在同一时间只能打开一个页面，一个具有 4 个 L-Bank 的内存芯片，可以打开 4 个页面。这样，以这种芯片组成的 P-Bank，也就最后具备了 4 个页面，这是目前 DDR SDRAM 内存模中每个 P-Bank 的页面最大值。

1、影响性能的主要时序参数

在讲完内存的基本操作流程与相关的 tRP、tRCD、CL、BL 之后，我们就开始深入分析这些参数对内存性能的影响。所谓的影响性能是并不是指 SDRAM 的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。

非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。通过上文的讲述，大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要，它们是 tRCD、CL 和 tRP。按照规定，每条正规的内存模组都应该在标识上注明这三个参数值，可见它们对性能的敏感性。

以内存最主要的操作——读取为例。tRCD 决定了行寻址（有效）至列寻址（读 / 写命令）之间的间隔 ，CL 决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间，tRP 则决定了相同 L-Bank 中不同工作行转换的速度。现在可以想象一下对某一页面进行读取时可能遇到的几种情况（分析写入操作时不用考虑 CL 即可）：

1、要寻址的行与 L-Bank 是空闲的。也就是说该 L-Bank 的所有行是关闭的，此时可直接发送行有效命令，数据读取前的总耗时为 tRCD+CL，这种情况我们称之为页命中 （PH，Page Hit）。

2、要寻址的行正好是现有的工作行，也就是说要寻址的行已经处于选通有效状态，此时可直接发送列寻址命令，数据读取前的总耗时仅为 CL，这就是所谓的背靠背 （Back to Back）寻址，我们称之为页快速命中（PFH，Page Fast Hit）或页直接命中（PDH，Page Direct Hit）。

3、要寻址的行所在的 L-Bank 中已经有一个行处于活动状态（未关闭），这种现象就被称作寻址冲突，此时就必须要进行预充电来关闭工作行，再对新行发送行有效命令。结果，总耗时就是 tRP+tRCD+CL，这种情况我们称之为页错失 （PM，Page Miss）。

显然，PFH 是最理想的寻址情况，PM 则是最糟糕的寻址情况。上述三种情况发生的机率各自简称为 PHR —— PH Rate、PFHR —— PFH Rate、PMR —— PM Rate。因此，系统设计人员（包括内存与北桥芯片）都尽量想提高 PHR 与 PFHR，同时减少 PMR，以达到提高内存工作效率的目的。

2、增加 PHR 的方法

显然，这与预充电管理策略有着直接的关系，目前有两种方法来尽量提高 PHR。自动预充电技术就是其中之一，它自动的在每次行操作之后进行预充电，从而减少了日后对同一 L-Bank 不同行寻址时发生冲突的可能性。但是，如果要在当前行工作完成后马上打开同一 L-Bank 的另一行工作时，仍然存在 tRP 的延迟。怎么办？ 此时就需要 L-Bank 交错预充电了。

早期非常令人关注的VIA 4路交错式内存控制，就是在一个L-Bank工作时，对另一个L-Bank进行预充电或者寻址（如果要寻址的L-Bank是关闭的)。这样，预充电与数据的传输交错执行，当访问下一个L-Bank时，tRP已过，就可以直接进入行有效状态了，如果配合得理想,那么就可以实现无间隔的L-Bank交错读/写（一般的，交错操作都会用到自动预充电）,这是比PFH更好的情况，但它只出现在后续的数据不在同一页面的时时候。当时VIA声称可以跨P-Bank进行16路内存交错，并以LRU（Least Recently Used，近期最少使用）算法进行 交错预充电/寻址管理。

L-Bank 交错自动预充电 / 读取时序图： L-Bank 0 与 L-Bank 3 实现了无间隔交错读取，避免了 tRP与tRCD对性能的影响 ，是最理想的状态

3、增加 PFHR 的方法

无论是自动预充电还是交错工作的方法都无法消除同行（页面）寻址时tRCD 所带来的延迟。要解决这个问题，就要尽量让一个工作行在进行预充电前尽可能多的接收工作命令，以达到背靠背的效果，此时就只剩下 CL 所造成的读取延迟了（写入时没有延迟）。

如何做到这一点呢？这就是北桥芯片的责任了。现在我们就又接触到 tRAS 这个参数，在 BIOS 中所设置的 tRAS 是指行有效至预充电的最短周期，在内存规范中定义为 tRAS（min），过了这个周期后就可以发出预充电指令。对于 SDRAM 和 DDR SDRAM 而言，一般是预充电命令至少要在行有效命令 5 个时钟周期之后发出，最长间隔视芯片而异（目前的 DDR SDRAM 标准一般基本在 70000ns 左右），否则工作行的数据将有丢失的危险。那么这也就意味着一个工作行从有效（选通）开始，可以有 70000ns 的持续工作时间而不用进行预充电。显然，只要北桥芯片不发出预充电（包括允许自动预充电）的命令，行打开的状态就会一直保持。在此期间的对该行的任何读写操作也就不会有 tRCD 的延迟。可见，如果北桥芯片在能同时打开的行（页）越多，那么 PFHR 也就越大。需要强调的是，这里的同时打开不是指对多行同时寻址（那是不可能的），而是指多行同时处于选通状态。我们可以看到一些 SDRAM 芯片组的资料中会指出可以同时打开多少个页的指标，这可以说是决定其内存性能的一个重要因素。

但是，可同时打开的页数也是有限制的。从 SDRAM 的寻址原理讲，同一L-Bank 中不可能有两个打开的行（读出放大器只能为一行服务），这就限制了可同时打开的页面总数。以 SDRAM 有 4 个 L-Bank，北桥最多支持 8 个 P-Bank（4 条 DIMM）为例，理论上最多只能有 32 个页面能同时处于打开的状态。而如果只有一个 P-Bank，那么就只剩下 4 个页面，因为有几个 L-Bank 才能有同时打开几个行而互不干扰 。Intel 845 的 MHC 虽然可以支持 24 个打开的页面，那也是指 6 个 P-Bank 的情况下（845MCH 只支持 6 个 P-Bank）。可见 845 已经将同时打开页数发挥到了极致。

不过，同时打开页数多了，也对存取策略提出了一定的要求。理论上，要尽量多地使用已打开的页来保证最短的延迟周期，只有在数据不存在（读取时）或页存满了（写入时）再考虑打开新的指定页，这也就是变向的连续读 / 写。而打开新页时就必须要关闭一个打开的页，如果此时打开的页面已是北桥所支持的最大值但还不到理论极限的话 （如果已经达到极限，就关闭有冲突的L-Bank内的页面即可），就需要一个替换策略，一般都是用 LRU 算法来进行，这与 VIA 的交错控制大同小异。

回到正题，虽然 tRAS 代表的是最小的行有效至预充电期限，但一般的，北桥芯片一般都会在这个期限后第一时间发出预充电指令（自动预充电时，会在tRAS之后自动执行预充电命令），只有在与其他操作相冲突时预充电操作才被延后（比如，DDR SDRAM 标准中规定，在读取命令发出后不能立即发出预充电指令）。因此，tRAS 的长短一直是内存优化发烧友所争论的话题，在最近一两年，由于这个参数在 BIOS 选项中越来越普及，所以也逐渐被用户所关注。其实，在 SDRAM 时代就没有对这个参数有刻意的设定，在 DDR SDRAM 的官方组织 JEDEC 的相关标准中，也没有把其列为必须标明的性能参数 （CL、tRCD、tRP 才是），tRAS 应该是某些主板厂商炒作出来的，并且在主板说明书上也注明越短越好。

其实，缩小 tRAS 的本意在于，尽量压缩行打开状态下的时间，以减少同 L-Bank 下对其他行进行寻址时的冲突，从内存的本身来讲，这是完全正确的做法，符合内存性能优化的原则，但如果放到整体的内存系统中，伴随着主板芯片组内存页面控制管理能力的提升，这种做法可能就不见得是完全正确的，在下文中我们会继续分析 tRAS 的不同长短设置对内存性能所带来的影响。

4、BL 长度对性能的影响

从读 / 写之间的中断操作我们又引出了 BL（突发长度）对性能影响的话题。首先，BL 的长短与其应用的领域有着很大关系，下表就是目前三个主要的内存应用领域所使用的 BL，这是厂商们经过多年的实践总结出来的。

BL与相应的工作领域

BL 越长，对于连续的大数据量传输很有好处，但是对零散的数据，BL 太长反而会造成总线周期的浪费，虽然能通过一些命令来进行终止，便也占用了控制资源。以 P-Bank 位宽 64bit 为例 ，BL=4 时，一个突发操作能传输 32 字节的数据，为了满足 Cache Line 的容量需求，还得多发一次，如果是 BL=8，一次就可以满足需要，不用再次发出读取指令。而对于 2KB 的数据 ，BL=4 的设置意味着要每隔 4 个周期发送新的列地址，并重复 63 次。而对于 BL=256，一次突发就可完成，并且不需要中途再进行控制，但如果仅传输 64 字节，就需要额外的命令来中止 BL=256 的传输。而额外的命令越多，越占用内存子系统的控制资源，从而降低总体的控制效率。从这可以看出 BL 对性能的影响因素，这也是为什么 PC 上的内存子系统的 BL 一般为 4 或 8 的原因。但是不是 8 比 4 好，或者 4 比 8 好

2. 如何提高cpu性能

龙之谷对CPU要求不会很高的，你内存等多大，可以把虚拟内存设大点，还有显卡很重要，估计显卡跟不上，提高CPU性能如果你会超频把CPU超一点，不要太多，还有，超频会损伤硬件的，没必要时候尽量不要超频

3. 怎样提高cpu性能

提高cpu系统，这个要么换好的cpu，要么超频；如果想提高系统性能，倒可以加大内存，换固硬试试。

4. 如何提升CPU的性能

CPU超频提升一下性能吧不过不专业的就不要整了。很容易烧掉CPU等硬件
超频CPU
最有效果的超频，莫过于超频CPU了，而且现在的CPU大多数都是可超的，我们就多说一说如何超频电脑的CPU。
电脑的CPU工作频率为主频，它是由外频和倍频的乘积决定的，超频CPU，超倍频是最佳方案。但有的厂家为 防止我们超频，将CPU的外频锁定了（这更证实了超频的合理性），如Intel大部分的CPU都是锁了外频的。那幺对于这种CPU，我们也只能通过提升外频来进行了。这种提升可能有局限，但可以带来更大的好处。

目前的主流CPU有两家：Intel的和AMD的。
1、Intel，CPU当之无愧的龙头老大，它生产的CPU始终占有相当大的市场。
2、AMD，CPU厂商中的后起之秀，也占有相当的市场份额。

知道了自己的电脑是何种CPU之后，我们要查找它的最高可超频率，以便确定超频的目标，可超频率可以在《各种CPU超频编号大集合》中查到.

大家所使用的电脑中大多数都是用的这两种CPU，当你确定了自己的CPU型号之后，还要确定CPU的核心工艺 和出厂日期。对于超频来说，越先进的核心工艺就越好超，同一型号的CPU，出厂日期越靠后的也越好超。如.18微米的内核工艺，则理论上最多能到1.2G左右。要想上再高的频率只有用更好的工艺生产。

教你如何超频（下）
超频CPU正式开始，分为以下几步：

更换好的散热片：
这步要看原来的CPU风扇和散热片是否优良，优质的风扇价格一般都在50元以上，这笔投资尽量要保证。对于超频非常有用。在换上优质风扇的同时，注意在CPU与风扇散热片底座的接触部分涂抹导热硅脂，这样可以提高散热速度。

提升CPU倍频：
此法目前仅适合K62和Duron以及T bird的CPU，如果是Duron和T bird还要用铅笔来破解倍频，很多文章有介绍，这里不再赘述。超倍频需要主板支持修改倍频，选购主板的时候要十分注意。

提升CPU外频：
提升外频可以带来系统性能的大幅度提升，对于PIII处理器，目前的一般都是100外频，只有超到133左右，在散热优良而还可以加电压的时候，甚至可到150以上。但在这时，需要您的电脑的内存、显卡可以工作在如此之高的频率之下。因此相对来说，100外频的PIII处理器，是超外频比较理想的CPU。此法跟提升CPU倍频的方法一起用，效果最好。当然，这需要您的主板支持外频的调节，有的主板支持逐兆调节，就是专门为了超外频而设计的。

增加电压：
增加电压带有一定的危险性，建议不采用，如确实需要增加电压来增加超频后的稳定性，则要一点一点的加，并监视温度以策安全。对于Intel的CPU，稍微加一些电压效果是明显的；对于AMD的CPU，可以多加一些电压。这里要提到的是主板要支持更改电压，否则超频余地不会太大。如果是需要转接卡的话，要注意选择或更换可以调节电压的转接卡为上策。

软件超频：
软件超频是利用超频软件来进行的，例如技嘉的主板，就有可以软件超频的型号。这些软件超频的例子会在以后的文章中介绍。

一般的来说，超频CPU只要按照以上的步骤，应该可以做到超频成功的，至于超频的幅度，就取决于您的机器 的各个配件的质量了，值得注意的是：超频会缩短CPU的寿命，如果您想让现在的机器能使用个十年八年的， 还是不要超频为好。不过现在电脑的更新换代实是快，10年对于电脑来说，太漫长了……:-)

超频显卡
对于狂热的超频爱好者来说，任何一个超频的机会也不容错过，显卡是电脑中第二个可以超频的对象，自然也倍受青睐，超频显卡也要看显卡的芯片核心工艺，越先进的越耐超。

超频显卡除了超频核心频率以外，还可以超频显存频率，为什幺市面上出现了很多使用5.5ns的显存的显卡呢? 就是因为显存的反应时间越小，可超的频率就越高，6ns显存一般也能超到200M，5.5ns自然可超到更高。超频显存可能会带来很多热量，我们可以在显存上粘贴散热片来缓解这个问题。

超频鼠标
不要奇怪，超频鼠标是指让鼠标的刷新率增加，不信你快速晃动鼠标，你会发现其实鼠标的光标也不是连续的，一般的PS2鼠标刷新率是80HZ，也就是说1秒钟画出80个光标。当然，刷新率是越高越好的，这样可以使得光标显示效果细腻，改变刷新率是通过软件更改的，目前有一款软件叫PS2PLUS，它可将PS2鼠标的刷新率刷到200！拿市面上随处可见的普通的双飞燕2D鼠标来试验，当运行刷新软件将刷新率调整到200MHZ的时候，鼠标变得非常好用，点击准确，移动平滑，感觉跟100多元的罗技鼠标相当啦！不花钱升级了鼠标，何乐而不为！但要注意该软件好象不能用在windows2000下，且不能改变USB鼠标的刷新率，好在USB鼠标的刷新率已经是120了，基本够了。在前文提到的网址可以下载该软件。

超频内存、硬盘
千万别有误会，超频内存和硬盘，其实是不太可能的，我们所说的超频，其实是指提升了CPU的外频之后，总线频率上升了带来的内存、硬盘的工作频率的提高，因为这两样东东可改变的东西更少了，几乎就不能做什幺手脚，所以最好也不要进行超频工作。前一阵子有的文章介绍可以超频硬盘转速，这也是骗人的空谈，没有理论基础。至于内存的CAS=2和=3之分，效果也是很小的，可忽略不计。

超频测试
成功的超频，应该禁得起严格的测试，一般是系统正常运行，软件运行稳定，运行各种测试软件表示性能确实稳定，无其它故障出现即可。

几种超频性能很好的CPU介绍
很多朋友的超频经历告诉我们，如下的几款CPU超频性能很好：
1）PIII550E、PIII650E比较好超。
2）ron，生产日期靠后的比较好超。

想来现在主要也只有这几种东西可以超频了，如果您已经成功的超频了，并且很稳定，那幺恭喜您已经完成了少花钱升级的目标，但如果您达不到您的目的或者出现了超频失败，也不用灰心丧气，我们来看看超频失败的几种现象。

超频失败现象小结
现象一：系统可以启动，但运行大的软件的时候死机，而且时快时慢。 分析和解决：此时您的系统已经达到瓶颈，若不能略微降低CPU主频，则应该利用提升电压、增加散热效果等手段来使之稳定下来。
现象二：电脑可以启动，但进不了操作系统。分析和解决：您的电脑处在不能启动的边缘，您应该降低超频幅度以求得稳定。
现象三：电脑不能启动，完全黑屏。分析和解决：超的太高了，导致CPU运算频繁出错而无法正常工作，别太贪心，少超一点啦。
现象四：系统可以启动，但屏幕时而出现斑块花点。分析和解决：显卡顶不住了，可考虑降低显卡的超频幅度或者总线的超频幅度。
现象五：系统其它板卡工作不正常。但系统稳定。分析和解决：您的主板设计不良，导致超频之后的电磁干扰增加，影响板卡的工作稳定性，可以换到距离比较远的 插槽重新试验，或者更换抗干扰能力强的板卡

5. 电脑怎么提高cpu性能

在自身的条件下，在bios系统调节频率。

6. 如何提高CPU性能

CUP性能提高方法：

1、在任务管理器里关闭没用的程序。

2、通过超频来使得CPU频率变强。

3、清理系统垃圾，提高系统速度。

4、提高CPU的时钟频率和增加缓存容量。

CPU:中央处理器（CPU，英语：Central Processing Unit），是电子计算机的主要设备之一，电脑中的核心配件。其功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。电脑中所有操作都由CPU负责读取指令，对指令译码并执行指令的核心部件。

7. 怎样提高cpu的利用率

一般一个cpu核心可以搭载两个线程，你根据核心去搭载线程，不要乱放线程。
还有你有10个线程同时跑耗时操作最少也要4核的cpu，你可以减少线程或者减少线程中的耗时操作。
如果你是解码或者压缩程序的话那么cpu100%也很正常，如果是socket网络连接你可以看看windows
iocp，linux
epoll的实现。

8. 怎么把电脑CPU性能调到最大

方法一：

1、以联来想电自脑为例，点击任务栏中的三角形箭头，双击打开联想电源管理软件；

9. 如何提升CPU性能

CPU生产商为了提高CPU的性能，通常做法是提高CPU的时钟频率和增加缓存容量。不过目前CPU的频率越来越快，如果再通过提升CPU频率和增加缓存的方法来提高性能，往往会受到制造工艺上的限制以及成本过高的制约。

尽管提高CPU的时钟频率和增加缓存容量后的确可以改善性能，但这样的CPU性能提高在技术上存在较大的难度。实际上在应用中基于很多原因，CPU的执行单元都没有被充分使用。如果CPU不能正常读取数据（总线/内存的瓶颈），其执行单元利用率会明显下降。另外就是目前大多数执行线程缺乏ILP（Instruction-Level Parallelism，多种指令同时执行）支持。这些都造成了目前CPU的性能没有得到全部的发挥。因此，Intel则采用另一个思路去提高CPU的性能，让CPU可以同时执行多重线程，就能够让CPU发挥更大效率，即所谓“超线程（Hyper-Threading，简称“HT”）”技术。超线程技术就是利用特殊的硬件指令，把两个逻辑内核模拟成两个物理芯片，让单个处理器都能使用线程级并行计算，进而兼容多线程操作系统和软件，减少了CPU的闲置时间，提高的CPU的运行效率。

采用超线程及时可在同一时间里，应用程序可以使用芯片的不同部分。虽然单线程芯片每秒钟能够处理成千上万条指令，但是在任一时刻只能够对一条指令进行操作。而超线程技术可以使芯片同时进行多线程处理，使芯片性能得到提升。

超线程技术是在一颗CPU同时执行多个程序而共同分享一颗CPU内的资源，理论上要像两颗CPU一样在同一时间执行两个线程，P4处理器需要多加入一个Logical CPU Pointer（逻辑处理单元）。因此新一代的P4 HT的die的面积比以往的P4增大了5%。而其余部分如ALU（整数运算单元）、FPU（浮点运算单元）、L2 Cache（二级缓存）则保持不变，这些部分是被分享的。

虽然采用超线程技术能同时执行两个线程，但它并不象两个真正的CPU那样，每个CPU都具有独立的资源。当两个线程都同时需要某一个资源时，其中一个要暂时停止，并让出资源，直到这些资源闲置后才能继续。因此超线程的性能并不等于两颗CPU的性能。

英特尔P4 超线程有两个运行模式，Single Task Mode（单任务模式）及Multi Task Mode（多任务模式），当程序不支持Multi-Processing（多处理器作业）时，系统会停止其中一个逻辑CPU的运行，把资源集中于单个逻辑CPU中，让单线程程序不会因其中一个逻辑CPU闲置而减低性能，但由于被停止运行的逻辑CPU还是会等待工作，占用一定的资源，因此Hyper-Threading CPU运行Single Task Mode程序模式时，有可能达不到不带超线程功能的CPU性能，但性能差距不会太大。也就是说，当运行单线程运用软件时，超线程技术甚至会降低系统性能，尤其在多线程操作系统运行单线程软件时容易出现此问题。

需要注意的是，含有超线程技术的CPU需要芯片组、软件支持，才能比较理想的发挥该项技术的优势。操作系统如：Microsoft Windows XP、Microsoft Windows 2003，Linux kernel 2.4.x以后的版本也支持超线程技术。目前支持超线程技术的芯片组包括如：

Intel芯片组：
845、845D和845GL是不支持支持超线程技术的；845E芯片组自身是支持超线程技术的，但许多主板都需要升级BIOS才能支持；在845E之后推出的所有芯片组都支持支持超线程技术，例如845PE/GE/GV以及所有的865/875系列以及915/925系列芯片组都支持超线程技术。

VIA芯片组：
P4X266、P4X266A、P4M266、P4X266E和P4X333是不支持支持超线程技术的，在P4X400之后推出的所有芯片组都支持支持超线程技术，例如P4X400、P4X533、PT800、PT880、PM800和PM880都支持超线程技术。

SIS芯片组：
SIS645、SIS645DX、SIS650、SIS651和SIS648是不支持支持超线程技术的；SIS655、SIS648FX、SIS661FX、SIS655FX、SIS655TX、SIS649和SIS656则都支持超线程技术。

ULI芯片组：
M1683和M1685都支持超线程技术。

ATI芯片组：
ATI在Intel平台所推出的所有芯片组都支持超线程技术，包括Radeon 9100 IGP、Radeon 9100 Pro IGP和RX330。

nVidia芯片组：
即将推出的nForce5系列芯片组都支持超线程技术。
参考资料：http://publish.it168.com/cword/962.shtml

10. 请问如何提高CPU性能

CUP性能提高方法：

1、在任务管理器里关闭没用的程序。

2、通过超频来使得CPU频率内变强。

3、清理系统垃圾容，提高系统速度。

4、提高CPU的时钟频率和增加缓存容量。

CPU:中央处理器（CPU，英语：Central Processing Unit），是电子计算机的主要设备之一，电脑中的核心配件。其功能主要是解释计算机指令以及处理计算机软件中的数据。电脑中所有操作都由CPU负责读取指令，对指令译码并执行指令的核心部件。